System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 用于制造电子组件的膜制造技术_技高网

用于制造电子组件的膜制造技术

技术编号:41418645 阅读:9 留言:0更新日期:2024-05-21 20:52
本公开提供了一种用于制造电子组件的膜。所述用于制造电子组件的膜包括:聚合物层;以及导电纳米线和磁性纳米颗粒,分散在所述聚合物层中。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于制造电子组件的膜,更具体地,涉及一种在制造多层电子组件时使用的用于制造电子组件的膜。


技术介绍

1、当在制造高端薄型/高度堆叠的多层陶瓷电容器(mlcc)时使用的聚酯膜的织物厚度的偏差增大时,由于mlcc的介电层的厚度散布的增加,耐压特性降低并且短路率增大。

2、另外,随着介电层变薄,在成型和堆叠工艺(辊对辊)中由于静电引起的异物的混合对mlcc产品的特性具有显著影响。

3、在现有技术中,为了在冷却辊(流延辊)上紧密地粘附用于制造电子组件的挤出高温膜并冷却,在聚合物聚合步骤中将静电施加剂添加到膜中,或者通过空气喷嘴物理地紧密粘附膜并冷却。

4、在这种情况下,为了赋予膜抗静电性,将低分子量抗静电剂注入膜中并移动到表面,或者在成品膜的表面上涂覆溶液并干燥。

5、然而,当添加的静电施加剂过量时,静电施加剂在熔融聚合物中的相容性降低,这可能导致膜的表面粗糙度降低。

6、此外,在空气喷嘴的情况下,根据空气喷嘴、用于冷却的冷却辊和挤出膜之间的距离来确定最佳冷却条件,并且在最大风量下不一定实现最大冷却效果。当增大空气体积以显著增大挤出膜的紧密粘附程度和冷却效率时,可能在挤出膜的表面上产生气痕(airmark)。

7、另外,在现有技术的情况下,当从膜剥离构成介电层的片材时,由于材料之间的功函数的差异而使其带电,这增大了剥离力,导致介电层的厚度由于褶皱缺陷和撕裂缺陷而局部减小。

8、因此,通过控制膜的抗静电特性和平整度以确保在制造膜时在流延工艺中形成的挤出片材的厚度平滑度并赋予抗静电性,需要对能够使在mlcc制造工艺中可能发生的褶皱缺陷和异物的混合最小化的用于制造电子组件的膜进行研究。


技术实现思路

1、本公开的一方面在于提供一种用于防止在制造工艺期间产生静电的用于制造电子组件的膜。

2、本公开的另一方面在于提供一种用于在制造工艺期间提高冷却效率的用于制造电子组件的膜。

3、本公开的另一方面在于提供一种具有均匀厚度的用于制造电子组件的膜。

4、本公开的另一方面在于提供一种用于制造电子组件的膜,该用于制造电子组件的膜能够在制造电子组件时促进陶瓷片的剥离并且使得能够在没有损坏的情况下制造电子组件。

5、根据本公开的一方面,可提供一种用于制造电子组件的膜,所述用于制造电子组件的膜包括:聚合物层;以及导电纳米线和磁性纳米颗粒,分散在所述聚合物层中。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造电子组件的膜,包括:

2.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚合物层包括聚酯类化合物。

3.根据权利要求2所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚酯类化合物包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。

4.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳。

5.根据权利要求4所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳纳米管。

6.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括导电聚合物。

7.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳和导电聚合物。

8.根据权利要求7所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳纳米管。

9.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述磁性纳米颗粒包括镍、钴、铁和它们的合金中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚合物层包括前表面层和后表面层,所述后表面层设置在所述前表面层的一个表面上。

>11.根据权利要求10所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒分散在所述聚合物层的所述前表面层中。

12.根据权利要求11所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒还分散在所述聚合物层的所述后表面层中。

13.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线的高宽比在10至500的范围内。

14.根据权利要求11所述的用于制造电子组件的膜,其中,相对于所述前表面层的总重量,所述前表面层中的所述磁性纳米颗粒的含量为0.3wt%或更少。

15.根据权利要求11所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳纳米管,并且

16.根据权利要求15所述的用于制造电子组件的膜,其中,相对于所述前表面层的总重量,所述前表面层中的所述磁性纳米颗粒的含量为0.3wt%或更少。

17.根据权利要求11所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括导电聚合物,并且

18.根据权利要求10所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚合物层还包括脱模层,所述脱模层设置在所述前表面层的与所述一个表面相对的另一表面上。

19.根据权利要求18所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒分散在所述聚合物层的所述前表面层中。

20.根据权利要求19所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒还分散在所述聚合物层的所述脱模层中。

...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造电子组件的膜,包括:

2.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚合物层包括聚酯类化合物。

3.根据权利要求2所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚酯类化合物包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。

4.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳。

5.根据权利要求4所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳纳米管。

6.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括导电聚合物。

7.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳和导电聚合物。

8.根据权利要求7所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线包括碳纳米管。

9.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述磁性纳米颗粒包括镍、钴、铁和它们的合金中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述聚合物层包括前表面层和后表面层,所述后表面层设置在所述前表面层的一个表面上。

11.根据权利要求10所述的用于制造电子组件的膜,其中,所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒分散在所述聚合物层的所述前表面层中。

12.根据权利要求11所述的用于...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴廷振沈大振朴正鎭金宰源崔孝成崔虎森金善美李种晧
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1