【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于制造电子组件的膜，更具体地，涉及一种在制造多层电子组件时使用的用于制造电子组件的膜。
技术介绍
1、当在制造高端薄型/高度堆叠的多层陶瓷电容器(mlcc)时使用的聚酯膜的织物厚度的偏差增大时，由于mlcc的介电层的厚度散布的增加，耐压特性降低并且短路率增大。
2、另外，随着介电层变薄，在成型和堆叠工艺(辊对辊)中由于静电引起的异物的混合对mlcc产品的特性具有显著影响。
3、在现有技术中，为了在冷却辊(流延辊)上紧密地粘附用于制造电子组件的挤出高温膜并冷却，在聚合物聚合步骤中将静电施加剂添加到膜中，或者通过空气喷嘴物理地紧密粘附膜并冷却。
4、在这种情况下，为了赋予膜抗静电性，将低分子量抗静电剂注入膜中并移动到表面，或者在成品膜的表面上涂覆溶液并干燥。
5、然而，当添加的静电施加剂过量时，静电施加剂在熔融聚合物中的相容性降低，这可能导致膜的表面粗糙度降低。
6、此外，在空气喷嘴的情况下，根据空气喷嘴、用于冷却的冷却辊和挤出膜之间的距离来确定最佳冷却条件，并且在...
【技术保护点】
1.一种用于制造电子组件的膜，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述聚合物层包括聚酯类化合物。
3.根据权利要求2所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述聚酯类化合物包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
4.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳。
5.根据权利要求4所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳纳米管。
6.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括导电聚合物。
7.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的...
【技术特征摘要】
1.一种用于制造电子组件的膜，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述聚合物层包括聚酯类化合物。
3.根据权利要求2所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述聚酯类化合物包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。
4.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳。
5.根据权利要求4所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳纳米管。
6.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括导电聚合物。
7.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳和导电聚合物。
8.根据权利要求7所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线包括碳纳米管。
9.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述磁性纳米颗粒包括镍、钴、铁和它们的合金中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述聚合物层包括前表面层和后表面层，所述后表面层设置在所述前表面层的一个表面上。
11.根据权利要求10所述的用于制造电子组件的膜，其中，所述导电纳米线和所述磁性纳米颗粒分散在所述聚合物层的所述前表面层中。
12.根据权利要求11所述的用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴廷振，沈大振，朴正鎭，金宰源，崔孝成，崔虎森，金善美，李种晧，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。