温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种具有降低位错密度的缓冲层的半导体元件。该半导体元件包括：衬底，在衬底上方形成的缓冲区域，在缓冲区域上形成的活性层，以及在活性层上形成的至少2个电极；缓冲区域至少具有一层依次层积具有第1晶格常数的第1半导体层，具有与第1晶格常数...
该专利属于先进动力设备技术研究协会所有，仅供学习研究参考，未经过先进动力设备技术研究协会授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。