【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】直接晶片结合
本公开一般地涉及用于将不同的材料连接在一起的器件和方法,并具体地涉及利用(Al)(Ga)InP(As)(Sb)结合中间层将两个半导体晶片连接在一起的方法。
技术介绍
晶片连接技术可用于将具有各种性质的不同材料并成一个紧凑的工艺相容的材料系统。该技术具有很大的改革目前的高技术工业的潜力。例如,将GaAs或InP基材料连接至其他半导体材料可产生光学、光电和电子器件的集成,并且提高计算机、太阳能电池、发光二极管和其他电子器件的性能。ΙΠ-V族半导体器件诸如多结太阳能电池中的限制之一为将具有期望的带隙组合的III-V族层并入与生长衬底晶格匹配的器件。这严重限制了可并入器件的带隙的选择,并且因此阻止了制造具有最优性能的器件。因此期望开发一种方法,其允许使生长在不同衬底上的器件集成,以便可以减少与生长衬底晶格匹配的限制。已经使用了现有方案,诸如生长晶格不匹配的(变形的)层、机械堆积和间接晶片结合。在变形方法中,具有晶格常数的受控梯度的缓冲层在衬底和期望的变形层之间生长。在间接晶片结合方法中,器件在具有不同晶格常数的不同衬底上生长,并且介电或金属层沉积在器件的顶面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.03 US 12/960,2481.用于光电器件的组件(200,200a),包括:第一子组件,其进一步包括:第一GaAs晶片衬底(110,203);在所述第一GaAs晶片衬底(110,203)上的第一结合层(120,220);第二子组件,其进一步包括:第二InP晶片衬底(130,260);和在所述第二InP晶片衬底(130,260)上的第二结合层(140,240);其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)直接结合,以形成界面,并且形成组件;所述组件具有跨过所述第一结合层和所述第二结合层之间的结合界面的大于4J/m2的结合强度;和其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)分别与所述第一GaAs晶片衬底(110,203)和所述第二InP晶片衬底(130,260)晶格匹配;并且其中所述第一结合层和所述第二结合层为(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层。2.权利要求1所述的组件,其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)具有等于或大于5×10l8/cm3的掺杂浓度。3.权利要求1所述的组件,其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)具有低于5×1018/cm3的掺杂浓度。4.权利要求1所述的组件,其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)被相同地掺杂。5.权利要求1所述的组件,其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)被不同地掺杂。6.根据前述权利要求中任一项所述的组件,其中所述第一结合层(120,220)和所述第二结合层(140,240)形成隧道结。7.权利要求1所述的组件,其中所述第一GaAs晶片衬底(110,203)和所述第二InP晶片衬底(130,260)包括选自Si、Ge、GaAs基、InP基、GaP基、GaSb基和Ga(In)N基材料的一个或多个层。8.权利要求1所述的组件,其中所述第一GaAs晶片衬底(110,203)和/或所述第二InP晶片衬底(130,260)的任一个或两者包括一个或多个半导体层。9.权利要求1所述的组件,其中所述第一GaAs晶片衬底(110,203)和/或所述第二InP晶片衬底(130,260)的任一个或两者包括一个或多个半导体器件。10.权利要求9所述的组件,其中所述一个或多个半导体器件为InP基器件。11.权利要求10所述的组件,其...
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