具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造制造技术

在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管（LED）结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鸣伟，维韦卡·阿格拉沃尔，纳格·B·帕蒂班德拉，奥姆卡尔姆·纳兰姆苏，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：