提供了用于低EMI电路的封装构造。电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组...

一种III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法，该方法包括：在缓冲层上形成作为沟道层的第一III族氮化物材料层；在第一III族氮化物材料层的相对于缓冲层的相反侧上形成第二III族氮化物材料层，第一III族氮化物材料层和第二III族...

桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，...

本发明涉及III‑N器件及其形成方法。描述了一种III‑N器件，其具有III‑N材料层，位于III‑N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III‑N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层...

本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。

本发明涉及二极管以及包括该二极管的组件，平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成...

一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电...

一种III-N半导体器件，其可以包括在III-N材料结构的表面上具有厚度的电极限定层。所述电极限定层具有带有侧壁的凹进部，所述侧壁包括多个阶梯。所述凹进部远离所述III-N材料结构的部分具有第一宽度，并且所述凹进部靠近所述III-N材料...

本发明描述了一种III-N器件，其具有III-N层、在所述III-N层上的电极、与所述III-N层和电极相邻的钝化层、与所述钝化层和电极相邻的厚绝缘层、能够将显著热量从所述III-N器件转移出去的高导热性载体以及在所述厚绝缘层与所述载体...

一种包括半桥的电子组件，所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关的每个都具有切换频率，第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子，其中第一开关的第一端子和第二开关...

本发明描述了一种III-N层结构，其包含在异质基材上的III-N缓冲层、附加的III-N层、第一III-N结构和第二III-N层结构。在III-N缓冲层之上的第一III-N结构包含至少两个III-N层，每个III-N层具有铝组成，并且这...

本发明提供一种晶体管器件，包括：源极、栅极、漏极；包括在源极和漏极之间的栅极区的半导体材料；在栅极的任一侧的半导体材料中的多个沟道接入区；半导体材料中的在栅极区和沟道接入区中具有有效宽度的沟道；以及栅极区中的隔离区。隔离区用于在基本上不...

一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连...

描述了一种III族氮化物器件，其包括III-氮化物层的堆叠、钝化层和导电接触。该堆叠包括具有2DEG沟道的沟道层、势垒层以及间隔层。一个钝化层在与沟道层相反的一侧上直接接触间隔层的表面并且是电绝缘体。III-氮化物层的堆叠和第一钝化层形...

一种电子部件包括：封装在单个封装体中的III-N晶体管以及III-N整流器件。III-N晶体管的栅极电极电连接到单个封装体的第一引脚或电连接到单个封装体的导电结构部分，III-N晶体管的漏极电极电连接到单个封装体的第二引脚并且电连接到I...

电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连...

描述了一种III-N器件，其具有III-N材料层，位于III-N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III-N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极...

描述了一种III-N器件，其具有：缓冲层，在该缓冲层上的第一III-N材料层，在该第一III-N材料层上的相对于缓冲层的相反侧上的第二III-N材料层以及在该缓冲层和沟道层之间的分散阻挡层。该第一III-N材料层是沟道层，并且在该第一I...

平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结构，其至少在一个半导体层中产生２ＤＥＧ。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到２ＤＥＧ，与包含２ＤＥＧ的层形成欧姆接触。

本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。