提供一种ＩＩＩ族氮化物基高电子迁移率晶体管，其具有连接栅极的接地场板。该连接栅极的接地场板器件可以将密勒电容效应最小化。该晶体管可以形成为高电压耗尽型晶体管并可以与低电压增强型晶体管结合使用，以形成按照单一高电压增强型晶体管操作的组件。

本文描述了一种增强模式ＩＩＩ族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和／或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。

本发明提供了一种Ⅲ－Ｎ半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的ＡｌＸＮ层，其中Ｘ...

本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在...