本发明公开了一种防死锁电路，用于片上系统上电时保证LDO正确输出，包括：电平位移器，连接于数字逻辑电路，以获得该数字逻辑电路输出的睡眠控制信号，输出端接至组合逻辑模块的第一输入端；低电压检测电路，连接于LDO的输出端，以于检测到LDO的...

一种探针卡的预热装置，包括：用于放置所述探针卡的支撑架，所述支撑架包括内层、外层以及所述内层和外层之间的保温隔热层；用于对所述探针卡进行加热的电加热器，所述电加热器位于所述支撑架底部；用于监测所述探针卡的探针所处环境的温度的感温元件，所...

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置深N阱；于该深阱上设有P阱，该P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；第一浮栅，设置于该沟道...

本发明提出一种监测电子吸盘温度的装置，包括：设有一孔的固定板，固定板固定安装在冷却剂流出管上；经由固定板的孔插入冷却剂流出管中的检测探头；与检测探头连接的显示器，用于显示所述检测探头的检测结果。检测探头伸入固定板的孔中，并检测冷却剂流出...

本发明公开了一种逐次逼近寄存器型模数转换器，其包括：采样保持电路，通过一个比2NC小的采样电容及一开关完成对输入信号的采样并保持，并输出采样保持电压至比较器的第一输入端；N位数模转换器，用于将逐次逼近寄存器保存的数字量化结果转化为模拟量...

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；深阱，位于所述衬底中；第一阱、第二阱以及第三阱，均位于所述深阱中，所述第三阱包围所述第一阱和所述第二阱；漏区，位于所述第二阱中；源区，...

本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向...

一种半导体器件的形成方法，包括：提供层间介质层，位于所述层间介质层表面的金属层、位于所述金属层表面的刻蚀阻挡层，以及贯穿所述刻蚀阻挡层和金属层的第一开口，所述第一开口暴露出层间介质层；在所述第一开口侧壁形成覆盖金属层的保护层；形成所述保...

一种射频传输结构的形成方法，包括：提供包括器件区和非器件区的半导体衬底，覆盖所述半导体衬底表面的隐埋氧化物层，覆盖所述隐埋氧化物层表面的半导体层；形成贯穿所述非器件区的半导体层和隐埋氧化物层的开口，所述开口暴露出半导体衬底表面；形成开口...

沟槽式金属氧化物半导体肖特基势垒器件制造方法。在衬底上形成外延层；在外延层内形成沟槽；在沟槽侧壁及底部形成栅极氧化物层；在沟槽中沉积多晶硅；在外延层内形成阱区和源区；热退火以进行离子的推进再分布，同时在外延层表面形成氧化物层；依次形成刻...

本发明提供了一种周期序列信号占空比测量方法，包括：第一步骤，用于利用低通滤波器对待测周期序列信号进行滤波以得到滤波后信号，从而去除所述待测周期序列信号的高于所述低通滤波器的截止频率的分量；第二步骤，用于利用直流电压测量经过所述低通滤波器...

一种存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。所述编程方法包括：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二...

本发明提供了一种引线焊盘及集成电路。本发明提供的引线焊盘，包括焊接区域和包围所述焊接区域的保护区域，在所述焊接区域内设置有多个角部凹槽，所述角部凹槽位于所述焊接区域边缘的内切圆与保护区域之间的四个角部区域。采用本发明的引线焊盘，在避免由...

本发明公开了一种闪存的测试方法，该方法至少分两次向闪存的若干行存储单元施加电压应力，每次施加电压应力之后或者所有存储单元被施加电压应力之后，逐一判断被施加过电压应力的存储单元的漏电流是否符合要求，在每次施加电压应力时，由于未被施加电压应...

一种行译码器的偏置电压产生电路及存储器，所述行译码器的偏置电压产生电路适于向所述行译码器提供第一偏置电压和第二偏置电压。所述行译码器的偏置电压产生电路包括：高压检测单元，适于检测所述行译码器的电源电压，输出检测控制信号；电平移位单元，适...

本发明公开了一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，其包括参考支路镜像恒流源、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，其中，该参考支路镜像恒流源包括第一参考管、第二参考管及电压隔离电路，该电压隔离电路接于该第一参考管的栅极与...

本发明公开了一种用于干刻设备的导航片及导航方法。所述干刻设备包括ESC底座和一承载硅片的承载圈，所述ESC底座上设置有同心的第一参考圆和第二参考圆，所述导航片为一透明圆片，所述导航片的直径小于等于所述承载圈的内圈直径，在所述导航片的多个...

本发明公开一种用于行译码电路的电平位移器，包括：第一高压管电路，包括多个叠加的高压管，其与选通信号输入、高压检测电路输出端及第一与非门输出端连接，以于对闪存阵列进行擦写操作时，使该第一高压管电路中截止的高压管上的漏极电压分至各高压管；以...

本发明涉及一种存储器及其读取电路、一种比较电路。所述读取电路包括译码单元、比较电路及输出单元；所述比较电路包括阈值产生模块、第一比较模块、第二比较模块、电流镜模块、至少一个控制节点及至少一个限流管；其中，所述电流镜模块，适于为所述第二比...

本发明提供了一种硅片共晶键合方法，包括：第一步骤：在第一待键合硅片的表面沉积第一金属层，在第二待键合硅片的表面沉积第二金属层；第二步骤：将第一待键合硅片和第二待键合硅片分别布置在第一加热板和第二加热板上；第三步骤：在第一待键合硅片与第二...