【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体技术的发展，为了降低制造和设计成本，通常希望在单个集成电路上包含更多的功能。例如，在无线通信系统中，希望在作为数字逻辑电路的同一个集成电路上包括射频电路。现有技术中，如果直接采用普通的衬底形成既包括数字逻辑电路又包括射频电路的集成电路，所述射频电路会引起衬底和集成电路电感器的耦合，并且集成电路电感器的电感性能下降。为了在单个集成电路上集成更多的功能，通常采用绝缘体上硅(SOI)作为衬底来解决上述问题，且可以降低直流功耗，具有优良的抗串扰能力。请参考图1，现有技术的射频传输结构，采用具有陷阱富集区的绝缘体上硅(TrapRich SOI wafer)制成，包括:高阻率的半导体衬底100 ;覆盖所述半导体衬底100表面的陷阱富集层101，用于冻结射频信号在半导体衬底100中的载流子，提高射频传输结构的信号传输质量；覆盖所述陷阱富集层101表面的隐埋氧化物层(Buried 0xide)103 ;覆盖所述隐埋氧化物层103表面的顶层硅105，用于形成射频元件，例如晶体管、电容器、二极管等。然而，现有技术形成...
【技术保护点】
一种射频传输结构的形成方法，其特征在于，包括：提供包括器件区和非器件区的半导体衬底，覆盖所述半导体衬底表面的隐埋氧化物层，覆盖所述隐埋氧化物层表面的半导体层；形成贯穿所述非器件区的半导体层和隐埋氧化物层的开口，所述开口暴露出半导体衬底表面；形成开口后，在所述器件区的半导体层表面形成栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层和陷阱富集层，所述陷阱富集层覆盖所述开口底部的半导体衬底，且所述栅电极层和陷阱富集层在同一工艺步骤中形成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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