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一种射频传输结构的形成方法，包括：提供包括器件区和非器件区的半导体衬底，覆盖所述半导体衬底表面的隐埋氧化物层，覆盖所述隐埋氧化物层表面的半导体层；形成贯穿所述非器件区的半导体层和隐埋氧化物层的开口，所述开口暴露出半导体衬底表面；形成开口后，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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