高压BCD工艺中高压器件的隔离结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级；场氧化层，位于所述隔离区上。本实用新型专利技术能够使BCD高压器件所在外延岛得到有效隔离，提高BCD工艺中高压器件的击穿电压，而且在最小场氧化层的厚度下，使高压器件铝布线和硅表面的寄生开启电压可以达到1200V以上，从而改善整个高压BCD工艺硅表面氧化层台阶的平坦度，提高产品的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高压B⑶工艺中高压器件的隔离结构，尤其涉及一种1200V量级的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构。
技术介绍
B⑶工艺是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，简称为B⑶工艺。由于B⑶工艺综合了以上三种器件各自的优点，这使BCD工艺成为集成电路的主流工艺技术。BCD工艺技术已经发展了多年，有许多成熟的工艺方案。BCD工艺可以对于不同的电路选择不同的器件来达到相应电子电路器件的最优化，实现整个电路的低功耗、高集成度、高速度、高驱动能力的要求。BCD工艺是电源管理、显示驱动、汽车电子等IC制造工艺的上佳选择，具有广阔的市场前景。 随着国家节能降耗力度的加大，大功率半导体分立器件产业保持着持续、快速、稳定的发展，产业规模不断壮大，以高压集成电路为核心高压功率开关器件的电力电子功率模块和组件获得了越来越广泛的应用，现正沿着高电压、高功率、高密度三个不同研究方向发展。其中应用于三相交流380V或440V、480V供电的变频电机驱动回路中的高压集成电路，就是采用1200V高压B⑶工艺产品。对于1200V高电压B⑶工艺，除了关键的1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级；场氧化层，位于所述隔离区上。

【技术特征摘要】
1.一种高压B⑶工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，包括 具有第一掺杂类型的半导体衬底； 具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反； 具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级； 场氧化层，位于所述隔离区上。2.根据权利要求I所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述高压器件在击穿时所述隔离区和所述高压器件所在的外延岛电荷完全耗尽，所述外延岛指的是相邻隔离区之间的外延层。3.根据权利要求I所述的高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，所述场氧化层的厚度为6000 I 8000A-4.根据权利要求I或3所述的高压BCD工艺中高压...

【专利技术属性】
技术研发人员：闻永祥，张邵华，江宇雷，孙样慧，俞国强，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：