温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提供了一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内...该专利属于杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。