真空吸嘴制造技术

本实用新型专利技术关于一种真空吸嘴，包含有基板及弹性体，该基板设有呈轴向贯穿状的吸气孔；该弹性体固设于基板的底面并设有第一层及第二层，第一层固设于基板的底面并设有呈贯穿状的第一气孔，第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于第一层的底面并设有呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与第一气孔对齐并相通，其中，第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度；本实用新型专利技术在弹性体增设第二层，该第二层产生的变形量能够进一步地贴覆晶片，阻隔外界空气进入，并使第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度，增加吸起气流接触于晶片的面积，利于吸起晶片，十分实用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种配合吸气装置吸取物品的构件，特别涉及ー种真空吸嘴。
技术介绍
目前现有技术的真空吸嘴，如图7所示，设有基板70及弾性体80，基板70设有呈轴向贯穿状的吸气孔71 ;弾性体80固设于基板70并设有呈轴向贯穿状的通气孔81。欲吸起晶片时，将吸气装置设于基板70的顶面，并将弾性体80抵在晶片的顶面，利用吸气装置将吸气孔71及通气孔81内的空气吸出而产生吸力，使得晶片能够被吸起进而运送。其中，晶片被吸力吸引而朝基板70的方向位移，使得弾性体80被挤压变形并贴覆于晶片。然而，弾性体80的变形量不足，无法紧密地贴覆于晶片，导致外界的空气会从晶片与弾性体80之间的微小缝隙进入通气孔81，吸力不足且吸气效率不佳，晶片容易掉落，造成整个生产线停罢。另外，通气孔81的直径小，吸起气流接触于晶片的面积不大，不利于吸起晶片，也容易造成晶片掉落。因此，现有技术的真空吸嘴实有改进的必要。
技术实现思路
为解决现有技术的真空吸嘴有关于弾性体无法紧密地贴覆于晶片，导致晶片容易掉落的不足与限制，本技术的目的在于提供ー种真空吸嘴，其弾性体增设第二层，该第ニ层产生的变形量能够进ー步地贴覆晶片，阻隔外界空气进入，并使该第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度，増加吸起气流接触于晶片的面积，利于吸起晶片，十分实用。本技术所运用的技术手段在于提供ー种真空吸嘴，包括有一基板，其设有ー呈轴向贯穿状的吸气孔；以及一弾性体，其固设于该基板的底面并设有一第一层及ー第二层，该第一层固设于该基板的底面并设有一呈贯穿状的第一气孔，该第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于该第一层的底面并设有一呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与该第一气孔对齐并相通，其中，该第二气孔的宽度大于该第一气孔的宽度。所述的真空吸嘴，其中，该第一层的外径大于该第二层的外径，并在该第一层的底面异于该第二层之处形成有ー环面。所述的真空吸嘴，在该第一层的环形的底面以及在该第二层的环形的底面分别披覆形成ー环形的奈米钛层。所述的真空吸嘴，其中，该第一气孔的宽度大于该吸气孔的宽度。本技术所提供的真空吸嘴，可以获得的具体效益及功效改进至少包括I.第二层的变形量提高贴覆效果由于本技术增设第二层，相较于现有技术而言，该第二层产生的变形量能够进ー步贴覆晶片；更进ー步地，使第二层的径向厚度薄于第一层的径向厚度，较薄的第二层更能被挤压变形而贴覆于晶片。2.吸起气流接触于晶片的面积增加因为该第二气孔的宽度大于第一气孔的宽度，所以本技术的吸起气流接触于晶片的面积增加，因此能够利于吸起晶片。3.避免吸入外界空气而提高吸气效率因为该第一层的外径大于第二层的外径，在第一层贴覆于晶片时，第一层能够包围已被挤压的第二层，使得第二气孔及第一气孔内空气能够充份地被吸走，并使外界的空气不易穿过被挤压的第一层及第二层而进入第二气孔及第一气孔，因此能够提高吸气效率。4.奈米钛层阻隔外界空气本技术的第二实施例利用奈米钛层进一歩阻隔外界空气进入该第一气孔及第ニ气孔，进ー步地提高吸气效率。附图说明图I是本技术第一优选实施例的立体外观图。图2是本技术第一优选实施例的剖面图。图3是本技术第一优选实施例的仰视图。图4是本技术第一优选实施例第二层的挤压变形示意图。图5是本技术第一优选实施例第一层与第二层的挤压变形示意图。图6是本技术第二优选实施例的剖面图。图7是现有技术真空吸嘴的剖面图。附图标号说明10基板11吸气孔20弾性体21第一层211第一气孔212环面22第二层221第二气孔21A 第一层22A 第二层30A奈米钛层C晶片70基板71吸气孔80弾性体81通气孔具体实施方式以下配合附图及本技术的优选实施例，进ー步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段。本技术所提供的ー种真空吸嘴的优选实施例，如图I至图3所示，包括有一基板10及一弾性体20等元件，其中如图I至图3所示，该基板10为ー塑胶制的圆盘体，该基板10设有ー呈轴向贯穿状且为圆形的吸气孔11，基板10为现有技术的构件，在此不详细描述。如图I至图3所示，该弾性体20为海绵制成并具有弾性，该弾性体20固设于该基板10的底面并设有一第一层21及一第二层22 ；该第一层21呈圆盘状，该第一层21固设于该基板10的底面并设有ー呈圆形贯穿状的第一气孔211,该第一气孔211与该吸气孔11对齐并相通；优选地，该第一气孔211的直径大于该吸气孔11的直径；该第二层22呈圆盘状，该第二层22结合固定于该第一层21的底面，该第二层22可以一体连接于该第一层21，也可以粘贴于该第一层21，本技术对于第二层22连接于第一层21的方式不作特定的限制；该第二层22设有ー呈圆形贯穿状的第二气孔221 ;该第二气孔221与该第一气孔211对齐并相通，其中，该第二气孔221的直径大于该第一气孔211的直径。优选地，该第一层21的外径大于该第二层22的外径,并于该第一层21的底面异于该第二层22之处形成ー环面212。如图4所示，本技术在使用时，将图中未示的吸气装置设于基板10的顶面，并将本技术的第二层22抵在晶片C的顶面，利用吸气装置将吸气孔11、第一气孔211及第二气孔221内的空气吸出而产生吸力，使得晶片C能够被吸起；其中，晶片C被吸力吸引而朝基板10的方向位移，使得弾性体20被挤压变形。在 挤压变形的过程中，第二层22产生变形并紧密贴覆于晶片C的顶面，并且，第一层21也被逐渐地挤压变形。如图5所示，若是吸カ够强，第一层21甚至能够贴覆于晶片C的顶面并包围已被挤压的第二层22。由于本技术增设第二层22，因此第二层22产生的变形量能够进一歩贴覆晶片C，阻隔外界空气进入第二气孔221 ；并且，本技术内第二气孔221的直径大于第一气孔211的直径，所以本技术的吸起气流接触于晶片C的面积增加，因此能够利于吸起晶片C ；更进一歩地，由于第二气孔221的直径大于第一气孔211的直径且第ー层21的外径大于第二层22的外径，造成第二层22的径向厚度薄于第一层21的径向厚度，较薄的第ニ层22更能被挤压变形而贴覆于晶片C ；其次，第一层21的外径大于第二层22的外径，在第一层21贴覆于晶片C时，第一层21能够包围已被挤压的第二层22，使得第二气孔221及第ー气孔211内空气能够充份地被吸走，并使外界的空气不易穿过被挤压的第一层21及第ニ层22而进入第二气孔221及第一气孔211，因此能够提高吸气效率。本技术对于弾性体20、第一气孔211及第ニ气孔221的形状不作特定的限制，只要第二气孔221的宽度大于第一气孔211的宽度即可。如图6所示，本技术的第二优选实施例实质上与第一优选实施例相同，其中，在该第一层21A的环形的底面以及在该第二层22A的环形的底面分别披覆形成ー环形的奈米钛层30A。通过奈米钛层30A进ー步阻隔外界空气进入第一气孔211及第ニ气孔221，进一步地提高吸气效率。以上所述仅是本技术的优选实施例而已，并非对本技术做任何形式上的限制，虽然本技术已以优选实施例披露如上，然而并非用以限定本技术，任何本领域的技术人员，在不脱离本技术技术方案的范围内，应当可以利用上述掲示的
技术实现思路
作出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空吸嘴，其特征在于，包含有：一基板，其设有一呈轴向贯穿状的吸气孔；以及一弹性体，其固设于该基板的底面并设有一第一层及一第二层，该第一层固设于该基板的底面并设有一呈贯穿状的第一气孔，该第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于该第一层的底面并设有一呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与该第一气孔对齐并相通，其中，该第二气孔的宽度大于该第一气孔的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种真空吸嘴，其特征在于，包含有 一基板，其设有一呈轴向贯穿状的吸气孔；以及 一弹性体，其固设于该基板的底面并设有一第一层及一第二层，该第一层固设于该基板的底面并设有一呈贯穿状的第一气孔，该第一气孔与该吸气孔对齐并相通；该第二层固定结合于该第一层的底面并设有一呈贯穿状的第二气孔；该第二气孔与该第一气孔对齐并相通，其中，该第二气孔的宽度大于该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林盟彧，
申请(专利权)人：宏皓企业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：