器件隔离结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种器件隔离结构及其制造方法，该结构，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；第二隔离层则在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成；该制造方法，包括：1)在硅衬底上完成第一隔离层的淀积；2)在第一隔离层上进行刻蚀，形成有源区窗口；3)在有源区窗口注入与MOS?Well区反型的离子，退火修复，形成第二隔离层；4)利用选择性外延，在有源区窗口内生成单晶硅。本发明专利技术能以更低成本，实现与SOI类似的全隔离结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路中的隔离结构及其制造方法，特别是涉及一种新型的。
技术介绍
在现代半导体器件制造工艺中，随着对器件性能要求的不断提升，为了实现更低功率，更高开关速率的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金属-氧化物-半导体)结构，SOI (Silicon-on-1nsulator,绝缘衬底上的娃)不可避免的占领了高端小面积CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)制造市场。SOI技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。其中，SOI技术制程的具体过程如下:SOI基底片制作需要两片娃单晶基片A、B,如图1 (①)；并在A基片上生长一定厚度的SiO2，如图1 (②)；通过H+离子注入在A基片形成损伤层，如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；所述第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；所述第二隔离层，通过注入工艺在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高杏，刘继全，罗啸，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：