一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有沟槽；沉积第一隔离材料于所述半导体衬底上，以部分填充所述沟槽；注入氮元素于所述第一隔离材料中；执行一退火过程；沉积第二隔离材料于所述掺杂氮元素的第一隔离材料上，以完全填充所述沟槽；研磨去除所述沟槽外的所述第二隔离材料和所述掺杂氮元素的第一隔离材料。根据本发明专利技术，通过分两步填充隔离材料并在第一步填充的隔离材料中注入氮元素，可以提高所形成的浅沟槽隔离结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种形成浅沟槽隔离的方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，所形成的浅沟槽隔离(STI)的性能对于最后形成的半导体器件的电学性能而言至关重要。形成浅沟槽隔离时在所述沟槽中填充的材料通常采用HARP(一种氧化物)，由于具有高k值(即高介电常数)的材料可以提高浅沟槽隔离的电学性能，因而通过提高HARP的k值能够改善浅沟槽隔离的电学性能。因此，需要提出一种方法，通过提高HARP的k值来改善浅沟槽隔离的电学性能，从而可以不用将HARP替换为其它具有高k值的材料。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供，包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有沟槽；沉积第一隔离材料于所述半导体衬底上，以部分填充所述沟槽；注入氮元素于所述第一隔离材料中；执行一退火过程；沉积第二隔离材料于所述掺杂氮元素的第一隔离材料上，以完全填充所述沟槽。进一步，在沉积所述第二隔离材料之后，还包括执行一化学机械研磨工序以去除所述沟槽外的所述第二隔离材料和所述掺杂氮元素的第一隔离材料的步骤。进一步，所述第一隔离材料为氧化物。进一步，所述第一隔离材料为HARP。进一步，形成于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有沟槽；沉积第一隔离材料于所述半导体衬底上，以部分填充所述沟槽；注入氮元素于所述第一隔离材料中；执行一退火过程；沉积第二隔离材料于所述掺杂氮元素的第一隔离材料上，以完全填充所述沟槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李超伟，韩秋华，王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：