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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有沟槽；沉积第一隔离材料于所述半导体衬底上，以部分填充所述沟槽；注入氮元素于所述第一隔离材料中；执行一退火过程；沉积第二隔离材料于所述掺杂氮元素的第一隔离材料上...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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