部分气隙低K沉积的集成技术制造技术

一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明专利技术还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说，涉及一种半导体器件。
技术介绍
在半导体制造过程中，低k电介质是相对于二氧化硅具有较小的介电常数的材料。低K介电材料的实施是用于不断减小微电子器件尺寸的若干策略之一。在集成电路中，绝缘电介质将导电部件(即，线互连)彼此分离。随着元件尺寸不断减小并且与晶体管之间的距离越来越近，绝缘电介质变薄到电荷积累的程度，并且在某种情况下，串扰对器件的性能产生不良影响。用相同厚度的低K电介质代替传统的二氧化硅介电层减小了寄生电容，因此能够具有较快的转换速度和较低的热损失。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括:衬底；以及低K介电层,位于所述衬底上方,其中，所述低K介电层的第一部分包括介电材料，以及所述低K介电层的第二部分包括气隙，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此横向设置。在该半导体器件中，所述第一部分的所述介电材料不是低K介电材料。在该半导体器件中，所述半导体材料包括:氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、掺氧碳化硅和掺氮碳化娃中的一种。在该半导体器件中，所述低K介电层进一步包括第三部分，其中，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；以及低K介电层，位于所述衬底上方，其中，所述低K介电层的第一部分包括介电材料，以及所述低K介电层的第二部分包括气隙，其中，所述第一部分和所述第二部分彼此横向设置。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏睿，李志聪，周友华，张简旭珂，郭铭修，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：