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本发明公开了一种器件隔离结构及其制造方法，该结构，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；第二...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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