存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统技术方案

一种存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。所述编程方法包括：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。本发明专利技术技术方案提供的存储阵列的编程方法和电压提供系统，避免了因同时施加电压造成的对存储单元误编程的问题，并且，降低了对存储阵列编程过程中的功率损耗。

【技术实现步骤摘要】
存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器、存储阵列的编程方法及电压提供系统。
技术介绍
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器（例如，快闪存储器FlashMemory）中的存储单元通常包括四个引线：位线（BL，Bit-Line）、字线（WL，Word-Line）、源线（SL，Source-Line）和基线（SBL，Sub-Line），分别对应耦接MOS晶体管的漏极、栅极、源极和基极。一般，在对存储器的存储单元进行编程（program）操作时，需要对存储单元的各引线施加不同的编程电压。图1为现有的一种存储阵列的电路结构示意图。参考图1，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元以及用于选择所述存储单元并提供驱动信号的多条字线、位线以及源线。具体地，该存储阵列包含n条字线（WL1，WL2，...，WLn）、m条位线（BL1，BL1，BL3，...，BLm）以及n条源线（SL1，SL2，...，SLn）。所述存储阵列中的存储单元由NMOS管构成，每个NMOS管的栅极、漏极、源极分别与字线、位线、源线连接，其中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。对存储阵列中的某个存储单元进行编程时，需要对该存储单元连接的字线、位线和源线施加不同的电压，对与该存储单元共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线施加电压以禁止编程。例如，以对图1所示的存储单元a进行编程为例，需要对存储单元a连接的字线WL1和位线BL2施加不同的电压，还需要同时对存储单元a连接的源线SL1和与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加不同的电压。通常，对与存储单元a连接的源线SL1施加的电压取值范围为7V至9V，对与存储单元a连接的位线BL2施加的电压取值范围为0.1V至0.6V，对与存储单元a连接的字线WL1施加的电压取值范围为1.2V至2V，对与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加的电压的取值范围为2V至3V。现有技术中，对存储单元a连接的源线SL1和与存储单元a共用源线但不需要进行编程的存储单元连接的位线BL1、BL3、…、BLm施加的电压分别由两个不同的电荷泵电路同时提供。然而，在对存储阵列编程的过程中发现，利用现有的电压提供系统和编程方法编程时，存储阵列中与需要进行编程的存储单元a共用源线、不需要进行编程的存储单元容易出现被误编程的现象。更多关于存储阵列的编程方法的技术方案可以参考申请号为201010121436.8、专利技术名称为一种存储器的编程方法的中国专利申请文件。
技术实现思路
本专利技术解决的是对存储阵列编程过程中出现的不需要进行编程的存储单元容易被误编程的问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种存储阵列的编程方法，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线，所述存储阵列的编程方法包括：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。可选的，还包括：在第三时刻，施加第三电压至与所述第二存储单元连接的字线，以及施加第四电压至与所述第二存储单元连接的位线，所述第三时刻超前于所述第一时刻。可选的，所述第三电压的取值范围为1.2V至2V，所述第四电压的取值范围为0.1V至0.6V。可选的，所述第二时刻滞后于所述第一时刻5μs至100μs。可选的，所述第一电压的取值范围为2V至3V。可选的，所述第二电压的取值范围为7V至9V。为解决上述问题，本专利技术还提供了一种电压提供系统，包括：控制电路，适于在第一时刻输出第一控制信号，在第二时刻输出第二控制信号，所述第二时刻滞后于所述第一时刻；第一电荷泵电路，适于接收所述第一控制信号，输出第一电压至与存储阵列中的第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；第二电荷泵电路，适于接收所述第二控制信号，输出第二电压至与所述存储阵列中的第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。可选的，所述第一控制信号和第二控制信号为时钟驱动信号，或者所述第一控制信号和第二控制信号为使能信号。基于上述电压提供系统，本专利技术还提供了一种存储器，包括上述电压提供系统和存储阵列，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。与现有技术相比，本专利技术技术方案提供的存储阵列的编程方法和电压提供系统具有以下有益效果：对存储阵列编程时，在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对第一存储单元进行编程，在滞后于第一时刻的第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对第二存储单元进行编程，第二存储单元是需要编程的存储单元，第一存储单元是与第一存储单元共用源线但不需要编程的存储单元。第一电压先于第二电压施加，避免了因同时施加第一电压和第二电压时，第二电压上升过快造成的对不需要编程的存储单元误编程的问题。另一方面，在存储器中，对高于电源电压的编程电压均是由电荷泵电路提供，即第一电压和第二电压分别是由两个电荷泵电路产生。由于第一电压和第二电压不是同时施加于存储阵列，提供第一电压和第二电压的两个电荷泵电路也是按先后顺序开始工作。电荷泵电路的功耗在开始工作时最高，因此，按先后顺序工作的第一电荷泵电路和第二电荷泵电路的总功耗的最大值得到减小，从而减小了对存储阵列编程时的功耗。附图说明图1是现有的一种存储阵列的电路结构示意图；图2是本专利技术实施方式的存储阵列的编程方法的流程示意图；图3是本专利技术实施例的对存储阵列编程施加电压的时序示意图；图4是本专利技术实施方式的电压提供系统的结构示意图；图5是本专利技术实施例的电荷泵电路输出电压随时间变化的波形示意图；图6是本专利技术实施例的电荷泵电路输出电压的变化率随时间变化的波形示意图；图7是本专利技术实施例的电荷泵电路功耗随时间变化的波形示意图；图8是利用现有技术与本专利技术实施方式对存储阵列进行编程时电荷泵电路的总功耗随时间变化的波形对比示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图和实施例对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。图2是本专利技术实施方式的存储阵列的编程方法的流程示意图，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线。参考图2，所述存储阵列的编程方法包括：步骤S21：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；步骤S22：在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储阵列的编程方法，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线，其特征在于，包括：在第一时刻，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；在第二时刻，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用一条源线。

【技术特征摘要】
1.一种存储阵列的编程方法，所述存储阵列中，同一行的存储单元共用一条源线和字线，同一列的存储单元共用一条位线，其特征在于，包括：第一电荷泵电路在第一时刻开始工作，施加第一电压至与第一存储单元连接的位线以禁止对所述第一存储单元进行编程；第二电荷泵电路在第二时刻开始工作，施加第二电压至与第二存储单元连接的源线以对所述第二存储单元进行编程，所述第二时刻滞后于所述第一时刻，所述第二存储单元是需要编程的存储单元，所述第一存储单元是与所述第二存储单元共用一条源线但不需要编程的存储单元。2.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，还包括：在第三时刻，施加第三电压至与所述第二存储单元连接的字线，以及施加第四电压至与所述第二存储单元连接的位线，所述第三时刻超前于所述第一时刻。3.根据权利要求2所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，所述第三电压的取值范围为1.2V至2V，所述第四电压的取值范围为0.1V至0.6V。4.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，所述第二时刻滞后于所述第一时刻5μs至100μs。5.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在于，所述第一电压的取值范围为2V至3V。6.根据权利要求1所述的存储阵列的编程方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：