【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：衬底、布置在衬底上的氧化硅层、布置在氧化硅层上的第一氮化硅层、布置在第一氮化硅层上的第二氮化硅层、在第二氮化硅层上邻接布置的多个彩色滤光片、以及分别布置在各个彩色滤光片上的多个微透镜；而且，在氧化硅层和第一氮化硅层中，在与邻接布置的任意两个彩色滤光片的邻接位置相对应的位置处以及邻接布置的多个彩色滤光片的最外侧彩色滤光片的外边缘处，形成有空隙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：饶金华，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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