图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：具有前侧和后侧的衬底；在衬底前侧上包含电路的绝缘结构；分别延伸穿过衬底至电路的接触孔；以及布置在衬底后侧上、分别沿着延伸穿过接触孔的导电路径电连接到电路并且位于电路的正上方的多个焊盘。通过导电层形成在衬底的后侧上并且被图案化以形成在电路正上方的焊盘的工艺来制造图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法本申请要求于2012年3月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0028302的优先权，其公开通过引用整体而合并于此。
本专利技术概念总的来说涉及图像传感器及其制造方法。本专利技术概念还涉及后侧照明式图像传感器、CMOS图像传感器，以及它们的制造方法。
技术介绍
采用用于将光学图像转换成电信号的半导体器件的图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。CCD器件的像素由被偏置以将光子转换成电荷载流子的MOS电容器来提供。通过电容器读出电荷载流子。另一方面，CMOS图像传感器的像素包括：光电转换器件，其吸收入射光并且累积与入射光的量相对应的电荷；以及多个MOS晶体管，这多个MOS晶体管与每个光电转换器件相关联并且处理光电转换器件的输出。因此，在CMOS图像传感器中的光转换器件和的信号处理电路能够集成在单个芯片上。因此，于CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器更小。此外，制造CMOS图像传感器成本更低并且消耗更少的功率。因此，CMOS图像传感器在具有有限电池容量的产品中是有利的。出于这些原因，CMOS图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：衬底，所述衬底具有前侧和后侧；绝缘结构，所述绝缘结构在所述衬底的所述前侧上并且包括电路；接触孔，所述接触孔分别延伸穿过所述衬底并且延伸到所述电路；以及多个导电焊盘，所述多个导电焊盘被布置在所述衬底的所述后侧上，所述焊盘位于所述电路的正上方并且沿着导电路径分别电连接到所述电路，所述导电路径延伸穿过所述接触孔。

【技术特征摘要】
2012.03.20 KR 10-2012-00283021.一种图像传感器，所述图像传感器具有光接收区域和在所述光接收区域周围延伸的电路区域，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有前侧和后侧；像素传感器，所述像素传感器被布置在所述光接收区域中所述衬底的所述前侧；包含绝缘结构的电路，其包括电绝缘材料的绝缘层和电路，所述绝缘层在所述电路区域和所述光接收区域两者中覆盖所述衬底的所述前侧，并且所述电路构造为驱动并传递所述像素传感器的输出，其中所述电路仅位于所述电路区域中的所述绝缘层内；接触孔，所述接触孔分别延伸穿过所述衬底并且延伸到所述电路；以及多个导电焊盘，所述多个导电焊盘被布置在所述衬底的所述后侧上，所述导电焊盘位于所述电路的正上方并且沿着导电路径分别电连接到所述电路，所述导电路径延伸穿过所述接触孔，其中，所述电路包括多个布线层和连接布线层的布线接触件。2.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括布置在所述图像传感器的光接收区域中的像素，并且其中，所述电路和所述导电焊盘位于围绕所述光接收区域的电路区域中。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述电路区域的外边界与所述图像传感器的外围重合，并且布置在所述衬底的所述后侧上的所述图像传感器的所有所述导电焊盘基本上向内与所述电路区域的所述外边界隔开。4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在至少一个所述导电焊盘的每一个和所述光接收区域之间的相应距离小于在所述导电焊盘和所述电路区域的外边界之间的距离。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，至少一个所述导电焊盘沿着所述电路区域的所述外边界旁边布置。6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述电路包括用于驱动所述像素的驱动电路。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述导电焊盘的每一个被电连接到所述电路的多个布线层中最上面的一个，所述多个布线层中最上面的一个在所述多个布线层中布置为最接近所述衬底。8.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述像素包括位于所述衬底中的光电转换器件；并且进一步在所述光接收区域中包括：滤色器，所述滤色器被布置在所述衬底的所述后侧上并且分别与所述光电转换器件相关联；以及微透镜，所述微透镜被布置在所述滤色器上并且分别与所述光电转换器件相关联。9.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括接触件，所述接触件被布置在所述接触孔中，并且所述接触件的每一个接触所述电路和所述导电焊盘的相应一个。10.一种图像传感器，所述图像传感器具有光接收区域和在所述光接收区域周围延伸的电路区域，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有前侧和后侧；像素传感器，所述像素传感器被布置在所述光接收区域中所述衬底的所述前侧；绝缘结构，所述绝缘结构被布置在所述衬底的所述前侧上并且包括绝缘层、电路以及导电材料的下焊盘，所述导电材料的下焊盘位于所述绝缘层内并且电连接至所述电路；导电材料的上焊盘，所述导电材料的上焊盘在所述衬底的所述后侧上并且位于所述电路的正上方；接触孔，所述接触孔延伸穿过所述衬底并且延伸到所述下焊盘；以及接触件，所述接触件在所述接触孔中延伸并且电连接所述上焊盘和所述下焊盘，其中，所述电路构造为驱动并传递所述像素传感器的输出，所述电路仅位于所述电路区域中的所述绝缘层内，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇浩，朴永薰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
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