具有串扰改善的CMOS图像传感器结构制造技术

本发明专利技术的实施例提供一种半导体器件，包括衬底、器件层、抗反射涂层、反射结构、复合栅格结构、钝化层和滤光镜。器件层设置在衬底上，其中沟槽形成在器件层和衬底中。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构分别设置在沟槽中的抗反射涂层上。复合栅格结构位于在抗反射涂层和反射结构上方。复合栅格结构包括穿过复合栅格结构的空腔，并且复合栅格结构包括顺序堆叠在反射结构上的金属栅格层和介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤光镜分别填充空腔。本发明专利技术提供了一种具有串扰改善的CMOS图像传感器结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体图像传感器用于感测光。通常，半导体图像传感器包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD)传感器，该半导体图像传感器广泛用于各种应用中，诸如数字静物摄影机(DSC)、手机摄像头、数字视频(DV)和数字视频录像机(DVR)应用。这些半导体图像传感器利用图像传感器元件的阵列以吸收光并且将感测的光转换成数字数据或电信号，每个图像传感器元件均包括光电二极管和其他元件。前照式(FSI)CMOS图像传感器和背照式(BSI)CMOS图像传感器是两种类型的CMOS图像传感器。FSICMOS图像传感器可用于检测从其前侧投射的光，而BSICMOS图像传感器可用于检测从其背侧投射的光。BSICMOS图像传感器可以缩短光学路径并且增大填充因子以提高单位面积的光强度以及量子效率，并且可以降低串扰和光响应不均匀性。因此，可以显著提高CMOS图像传感器的图像质量。此外，BSICMOS图像传感器具有较高的主射线角度，这允许实施更短的透镜高度，从而实现更薄的相机模块。因此，BSICMOS图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；器件层，设置在所述衬底上，其中，多个沟槽形成在所述器件层和所述衬底中；抗反射涂层，共形地覆盖所述器件层、所述衬底和所述沟槽；多个反射结构，在所述沟槽中分别设置在所述抗反射涂层上；复合栅格结构，位于所述抗反射涂层和所述反射结构上方，其中，所述复合栅格结构包括穿过所述复合栅格结构的多个空腔，并且所述复合栅格结构包括顺序堆叠在所述反射结构上的金属栅格层和介电栅格层；钝化层，共形地覆盖所述复合栅格结构；以及多个滤光镜，分别填充所述空腔。

【技术特征摘要】
2015.09.10 US 14/850,7271.一种半导体器件，包括：衬底；器件层，设置在所述衬底上，其中，多个沟槽形成在所述器件层和所述衬底中；抗反射涂层，共形地覆盖所述器件层、所述衬底和所述沟槽；多个反射结构，在所述沟槽中分别设置在所述抗反射涂层上；复合栅格结构，位于所述抗反射涂层和所述反射结构上方，其中，所述复合栅格结构包括穿过所述复合栅格结构的多个空腔，并且所述复合栅格结构包括顺序堆叠在所述反射结构上的金属栅格层和介电栅格层；钝化层，共形地覆盖所述复合栅格结构；以及多个滤光镜，分别填充所述空腔。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反射结构中的每一个都是深沟槽隔离结构。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述反射结构中的每一个都具有在0.1μm至2.5μm的范围内的高度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属栅格层由钨或铝铜合金形成。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述反射结构由金属形成。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属栅格层和所述反射结构由相同的材料的形成。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属栅格层与所述反射结构直接接触。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：缓冲层，设置在所述抗反射涂层和所述反射结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑允玮，周俊豪，蔡宗翰，李国政，许永隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71