图像传感器、应用处理器和处理坏像素的方法技术

技术编号:15117611 阅读:241 留言:0更新日期:2017-04-09 14:27
本发明专利技术提供一种图像传感器、应用处理器和处理坏像素的方法。该方法包括:确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中,当代表性像素被包括在核中时,确定第一像素是否为坏像素,以及当第一像素被确定为坏像素时,使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2014年11月17日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0160322号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的实施例涉及一种从由图像传感器检测的像素图像去除坏像素的方法,更具体地,涉及一种使用该方法的图像传感器和一种使用该方法的应用处理器。
技术介绍
图像传感器的像素阵列可以包括将从物体拍摄的图像转换为电信号的多个像素。多个像素可以包括不能正常工作的坏像素。识别并补偿坏像素的后图像处理将提高质量和性能。
技术实现思路
根据本专利技术构思的实施例,提供了一种从像素图像去除坏像素的方法。该方法包括:确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中,当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否为坏像素,当第一像素被确定为坏像素时,利用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。该方法还可以包括,当代表性像素被包括在核中时调整核的第一像素范围。确定代表性像素是否被包括在核中的步骤可以包括,将第一像素的坐标与代表性像素的坐标进行比较,基于比较结果计算水平偏移和竖直偏移,并且确定水平偏移和竖直偏移是否在与核的大小对应的预定值内。水平偏移可以是第一像素与代表性像素之间在第一方向上的距离。竖直偏移可以是第一像素与代表性像素之间在与第一方向垂直的第二方向上的距离。该方法还可以包括存储关于代表性像素的信息。<br>关于代表性像素的信息可以包括代表性像素的坐标或者与代表性像素相邻的坏像素的数量。核的大小可以为5×5。根据本专利技术构思的实施例,提供了一种图像传感器。图像传感器包括图像生成单元和坏像素处理单元。图像生成单元被配置为生成与入射光的强度对应的像素图像。坏像素处理单元被配置为检测坏像素,并且输出补偿后的像素图像。坏像素处理单元包括坏像素检测单元和坏像素补偿单元。坏像素检测单元被配置为确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中,并且当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否为坏像素。坏像素补偿单元被配置为当第一像素被确定为坏像素时,使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。当代表性像素被包括在核中时,坏像素检测单元可以调整核的第一像素范围。坏像素检测单元可以将第一像素的坐标与代表性像素的坐标进行比较,基于比较结果计算水平偏移和竖直偏移,并且确定水平偏移和竖直偏移是否在与核的大小对应的预定值内。水平偏移可以是第一像素与代表性像素之间在第一方向上的距离。竖直偏移可以是第一像素与代表性像素之间在与第一方向垂直的第二方向上的距离。坏像素处理单元还可以包括被配置为存储关于代表性像素的信息的坏像素存储器。关于代表性像素的信息可以包括代表性像素的坐标或者与代表性像素相邻的坏像素的数量。核的大小可以为5×5。当代表性像素不被包括在核中时,坏像素检测单元可以将第一像素输出为补偿后的像素图像。图像生成单元可以包括像素阵列、读出块和控制单元。像素阵列可以包括多个像素,每个像素被配置为生成根据入射光的强度变化的电信号。读出块可以被配置为将电信号转换为数字格式的像素图像。控制单元可以被配置为控制像素阵列和读出块。根据本专利技术构思的实施例,提供了一种应用处理器。该应用处理器包括照相机接口和图像信号处理器。照相机接口被配置为接收像素图像。图像信号处理器被配置为处理像素图像以生成图像数据。图像信号处理器包括坏像素检测单元和坏像素补偿单元。坏像素检测单元被配置为确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中,并且当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否为坏像素。坏像素补偿单元被配置为当第一像素被确定为坏像素时,使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。当代表性像素被包括在核中时,坏像素检测单元可以调整核的第一像素范围。坏像素检测单元可以将第一像素的坐标与代表性像素的坐标进行比较,基于比较结果计算水平偏移和竖直偏移,并且确定水平偏移和竖直偏移是否在与核的大小对应的预定值内。水平偏移可以是第一像素与代表性像素之间在第一方向上的距离。竖直偏移可以是第一像素与代表性像素之间在与第一方向垂直的第二方向上的距离。图像信号处理器还可以包括被配置为存储关于代表性像素的信息的坏像素存储器。关于代表性像素的信息可以包括代表性像素的坐标或者与代表性像素相邻的坏像素的数量。核的大小可以为5×5。当代表性像素没有被包括在核中时,坏像素检测单元可以将第一像素输出为补偿后的像素图像。根据本专利技术构思的实施例,提供一种处理包括在像素图像中的坏像素的方法。该方法包括:使用代表至少一个坏像素的代表性像素的坐标来检测坏像素,并且当第一像素为坏像素时,使用核中的第二像素来补偿第一像素。所述核在核的中心处具有第一像素。检测坏像素的步骤包括:确定代表性像素是否被包括在核中,当代表性像素被包括在核中时,确定第一像素是否为坏像素,以及当第一像素的亮度值不在第一像素范围内时,确定第一像素为坏像素。基于核的平均亮度来确定第一像素范围。检测坏像素的步骤还可以包括当代表性像素被包括在核中时,减小核的第一像素范围。检测坏像素的步骤还可以包括当代表性像素不被包括在核中时,将第一像素输出为补偿后的像素图像。检测坏像素的步骤还可以包括当第一像素的亮度值在核的第一像素范围内时,将第一像素输出为补偿后的像素图像。第二像素可以包围核中的第一像素,并且具有与第一像素基本上相同的颜色。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例,本专利技术构思的上述和其他特征将变得更加清楚,在附图中:图1是根据本专利技术构思的实施例的包括图像传感器的图像处理系统的框图;图2是根据本专利技术构思的实施例的数据处理系统的框图;图3是根据本专利技术构思的实施例的图1和图2中示出的坏像素处理单元的框图;图4是输入到根据本专利技术构思的实施例的图3中示出的坏像素处理单元的像素图像的图;图5是用于解释根据本专利技术构思的实施例的图3中示出的坏像素检测单元的操作的图;图6是用于解释用于生成存储在根据本专利技术构思的实施例的图3中示出的坏像素存储器中的代表性像素信息的过程的图;图7是用于逐个比较存储在根据本专利技术构思的实施例的图3中示出的坏像素存储器中的数据的图;以及图8是根据本专利技术构思的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器,包括:图像生成单元,被配置为生成与入射光的强度对应的像素图像;以及坏像素处理单元,被配置为检测坏像素,并且输出补偿后的像素图像,其中,坏像素处理单元包括:坏像素检测单元,被配置为确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否被包括在核中,并且当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否为坏像素,所述核在核的中心处具有第一像素;以及坏像素补偿单元,被配置为当第一像素被确定为坏像素时,使用核中的第二像素来补偿第一像素,并且输出补偿后的像素图像。

【技术特征摘要】
2014.11.17 KR 10-2014-01603221.一种图像传感器,包括:
图像生成单元,被配置为生成与入射光的强度对应的像素图像;以及
坏像素处理单元,被配置为检测坏像素,并且输出补偿后的像素图像,
其中,坏像素处理单元包括:
坏像素检测单元,被配置为确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否
被包括在核中,并且当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否为坏像
素,所述核在核的中心处具有第一像素;以及
坏像素补偿单元,被配置为当第一像素被确定为坏像素时,使用核中的
第二像素来补偿第一像素,并且输出补偿后的像素图像。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,当代表性像素被包括在核
中时,坏像素检测单元调整核的第一像素范围。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,坏像素检测单元将第一像
素的坐标与代表性像素的坐标进行比较,基于比较结果计算水平偏移和竖直
偏移,并且确定水平偏移和竖直偏移是否在与核的大小对应的预定值内,
其中,水平偏移是第一像素与代表性像素之间在第一方向上的距离,并

其中,竖直偏移是第一像素与代表性像素之间在与第一方向垂直的第二
方向上的距离。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,坏像素处理单元还包括被
配置为存储关于代表性像素的信息的坏像素存储器。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,关于代表性像素的信息包
括代表性像素的坐标或者与代表性像素相邻的坏像素的数量。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,核的大小为2×2、3×3、
5×5和7×7中的一个。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,当代表性像素没有被包括
在核中时,坏像素检测单元将第一像素输出为补偿后的像素图像,而不执行
坏像素补偿。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,图像生成单元包括:
像素阵列,包括多个像素,每个像素被配置为生成根据入射光的强度变

\t化的电信号;
读出块,被配置为将电信号转换为数字格式的像素图像;以及
控制单元,被配置为控制像素阵列和读出块。
9.一种应用处理器,包括:
照相机接口,被配置为接收像素图像;以及
图像信号处理器,被配置为处理像素图像以生成图像数据,
其中,图像信号处理器,包括:
坏像素检测单元,被配置为确定代表至少一个坏像素的代表性像素是否
被包括在核中,并且当代表性像素被包括在核中时确定第一像素是否...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵镛性
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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