【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一像素区域和与之相邻的第二像素区域；位于所述基底内的浅沟槽，所述浅沟槽位于第一像素区域和第二像素区域之间；覆盖所述浅沟槽的底部和侧壁的隔离层；位于所述浅沟槽内的隔离层表面的导电层；覆盖所述导电层的介电层，所述介电层和隔离层共同包裹所述导电层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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