【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种图像传感器形成方法及图像传感器。
技术介绍
1、在图像传感器的形成过程中，为了实现像素区域的侧向钉扎，一般情况下会采用离子注入工艺，使离子注入层连接至半导体衬底的表面，并设置接入点以接入电位。但是，由于接入电位的区域是通过高浓度的离子注入以及金属化合物实现电学连接的，很容易导致高电场和漏电的问题。
2、如果采用金属和介质层进行侧向钉扎，虽然可以提升像素侧向钉扎的效果，但是为了提升像素区域的面积，像素区域中隔离结构的线宽会被压缩，比较小。这就使得想通过直接于像素区域的导电材料处接入电位实现钉扎的工艺对准精度非常高，对于刻蚀工艺的要求也比较苛刻，工艺窗口较小，实现难度很大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图像传感器形成方法，具体地，包括：
2、形成所述图像传感器的像素单元，各所述像素单元之间通过第一介质层和导电材料层部分隔离；
3、通过后续工艺，使所述图像传感器接地区域内的所述像素单元的半导体衬底之间完全电学...
【技术保护点】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过后续工艺，使所述图像传感器接地区域内的所述像素单元的半导体衬底之间完全电学隔离包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过所述接地区域内的所述导电材料层接入电位包括：
4.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述正面刻蚀工艺包括：
5.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述正面离子注入工艺包括：
6.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过后续工艺，使所述图像传感器接地区域内的所述像素单元的半导体衬底之间完全电学隔离包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过所述接地区域内的所述导电材料层接入电位包括：
4.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述正面刻蚀工艺包括：
5.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述正面离子注入工艺包括：
6.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述背面减薄工艺包括：
7.如权利要求4所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过所述接地区域内的所述导电材料层接入电位包括：
8.如权利要求6所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述通过所述接地区域内的所述导电材料层接入电位包括：
9.如权利要求8所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述于所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞坤，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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