半导体器件的制造方法以及制造装置制造方法及图纸

进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体部(9)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体器件。

技术介绍

1、在专利文献1中，公开了为了将半导体器件分离而在元件形成层进行pec蚀刻的手法。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp特开2020-136476号公报

技术实现思路

1、本公开所涉及的半导体器件的制造方法包含如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部的半导体基板；将所述第1半导体部分割成多个基底半导体部；和在所述多个基底半导体部的至少1个的上方形成化合物半导体部。

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，包含如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件的制造方法，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件的制造方法，包含如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件的制造方法，其中，

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，

12.根据权利要求7～11中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

13.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

14.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

15.根据权利要求13或14所述的半导体器件的制造方法，其中，

16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

18.根据权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其中，

19.根据权利要求1～18中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：神川刚，谷口祐基，林雄一郎，三岛孝介，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：

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