【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及摄像装置。
技术介绍
1、在数字相机等中广泛使用ccd(电荷耦合器件(charge coupled device))图像传感器及cmos(互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor))图像传感器。众所周知，这些图像传感器具有被形成于半导体基板的光电二极管。
2、另一方面，提出了将包括光电转换层的光电转换部配置在半导体基板的上方的构造(例如参照专利文献1及2)。具有这样的构造的摄像装置有时被称为层叠型的摄像装置。
3、在层叠型的摄像装置中，通过光电转换而产生的电荷被积蓄于电荷积蓄区域。与电荷积蓄区域中积蓄的电荷量相应的信号经由形成于半导体基板的ccd电路或者cmos电路被读出。
4、在先技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2012-209342号公报
7、专利文献2：美国专利第10868068号说明书
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的课题
2、本公开提供能够抑制性能劣化的摄像装置。
3、用于解决课题的手段
4、本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备：半导体基板；有效像素区域，包括有效像素；非有效像素区域，位于所述有效像素区域的周边，不包括所述有效像素；光电转换部，被配置在所述半导体基板的上方，包括位于所述有效像素区域的第1部分以及位于所述非有效像素区域的第2部分；遮光膜，位于所述光电转换部的所述
5、专利技术效果
6、根据本公开所涉及的摄像装置，能够抑制性能的劣化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种摄像装置，具备：
2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：
3.如权利要求2所述的摄像装置，
4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，
6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，
7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，
8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种摄像装置，具备：
2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：
3.如权利要求2所述的摄像装置，
4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：平濑顺司，仲顺秋男，留河优子，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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