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进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部(S1)的半导体基板(11)；通过在第1半导体部(S1)形成多个沟槽(TR)，来将第1半导体部(S1)分割成多个基底半导体部(8)；和在多个基底半导体部(8)的至少1个的上方形成化合物半导体...
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