【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种图像传感器形成方法及图像传感器。
技术介绍
1、cis图像传感器芯片是把光信号转换为电信号的芯片，芯片内部中间区域是起到感光作用的像素阵列，像素阵列周围的行控制电路、列控制电路以及列输出电路等外围电路会对像素阵列产生影响。一方面，这些外围电路在工作过程中，由于栅诱导漏极泄漏电流效应（gidl）、热载流子注入效应（hci）等因素引起电子空穴对的符合，导致电路发光的现象；另一方面，某些外围电路模块功耗较大，会产生大量的热，使得芯片的温度升高。这些外围电路的发光和发热现象都会影响到所采集图像的性能。电路发光会使得像素区域边缘像素的亮度值异常增大，引起图像失真；电路发热会使得附近的像素阵列边缘像素的温度升高，造成这些像素的暗电流上升，噪声增加。
2、现有技术如 cn 111129049 a中，使用第一空心金属环及其空腔和第二空心金属环及其空腔相连接组成复合的屏蔽结构。但是其工艺相对复杂，难以实现，并且由于第二金属环需要和第一金属环相连，在实际工艺中存在刻蚀第二沟槽时破坏第一空心金属环的额外风险，在第...
【技术保护点】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，所述图像传感器的像素区域周围包括至少一层隔热层，所述形成方法包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底的背面至所述浅沟槽隔离之前，还包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底的背面至所述浅沟槽隔离之前，还包括：
4.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽表面形成第一介质层，并于所述第一沟槽中形成中空间隙，形成所述隔热层包括：
5.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，所述图像传感器的像素区域周围包括至少一层隔热层，所述形成方法包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底的背面至所述浅沟槽隔离之前，还包括：
3.如权利要求1所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底的背面至所述浅沟槽隔离之前，还包括：
4.如权利要求3所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽表面形成第一介质层，并于所述第一沟槽中形成中空间隙，形成所述隔热层包括：
5.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述根据预设的光刻图形，刻蚀所述图像传感器的背面至所述金属互联结构，形成第二沟槽包括：
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超，许乐，付文，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。