【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及基板处理装置。
技术介绍
1、在半导体器件的制造过程中，使用光刻工艺来形成各种形状和结构的图案。光刻工艺可以包括在基板的表面上涂覆光致抗蚀剂以形成光致抗蚀剂膜的涂覆工艺、将涂覆的光致抗蚀剂膜暴露于光的曝光工艺、以及将曝光的光致抗蚀剂膜显影以形成电路图案的显影工艺。涂覆工艺被执行为旋涂工艺，以通过向旋转的基板供应高粘性光致抗蚀剂溶液来形成具有预定厚度的膜。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一方面是提供一种具有改善的工艺效率的基板处理装置。
2、根据本专利技术构思的一个方面，一种基板处理装置包括：腔室，其具有闸，基板通过闸被装载到腔室中以及从腔室卸载；气体供应单元，其在腔室的上部中并且被配置成将气体供应到腔室中；旋涂器，其在腔室的下部中并且包括旋转卡盘和杯部分，旋转卡盘被配置为在其上表面上支撑和旋转基板，杯部围绕基板延伸并被配置为收集和排出来自基板的化学液体；化学液体供应单元，其被配置成将化学液体供应到基板上；以及加热器，其在基板与气体供应单元之间并被配置为加热
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【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述加热器控制器被配置为控制所述加热器，使得所述加热器在所述旋转卡盘停止旋转所述基板之后加热所述基板。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述加热器产生在80℃至150℃的温度范围内的热量。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述加热器包括倾斜的加热表面，并且其中所述加热器被定位成使得所述倾斜的加热表面面向所述基板。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述加热器具...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述加热器控制器被配置为控制所述加热器，使得所述加热器在所述旋转卡盘停止旋转所述基板之后加热所述基板。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述加热器产生在80℃至150℃的温度范围内的热量。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述加热器包括倾斜的加热表面，并且其中所述加热器被定位成使得所述倾斜的加热表面面向所述基板。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述加热器具有环形形状，所述环形形状具有面向所述基板的外围边缘的加热表面。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述加热器具有圆板形状。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述加热器包括多个同心加热区域，每个加热区域被配置为产生在不同温度的热量。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，进一步包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述气体供应单元包括具有超低渗透空气过滤器的过滤器单元。
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