【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成位于所述基底内的浅沟槽；形成位于所述基底表面的晶体管，所述晶体管位于被浅沟槽包围的区域；形成覆盖所述晶体管的层间介质层，所述层间介质层填充满所述浅沟槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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