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一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底;形成位于所述基底内的浅沟槽;形成位于所述基底表面的晶体管,所述晶体管位于被浅沟槽包围的区域;形成覆盖所述晶体管的层间介质层,所述层间介质层填充满所述浅沟槽。由于浅沟槽在形成晶体管后被填充,避免了通常...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底;形成位于所述基底内的浅沟槽;形成位于所述基底表面的晶体管,所述晶体管位于被浅沟槽包围的区域;形成覆盖所述晶体管的层间介质层,所述层间介质层填充满所述浅沟槽。由于浅沟槽在形成晶体管后被填充,避免了通常...