【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成铜金属互连线；以及在所述半导体衬底上未被所述铜金属互连线覆盖的区域形成层间介电层，所述层间介电层是由低k材料或超低k材料形成的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王冬江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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