【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层内形成有硬掩模层，所述硬掩模层包含通孔图案；在所述介质层上形成包含沟槽图案的光刻胶层；以所述包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对所述介质层进行刻蚀，至暴露出硬掩模层，以形成沟槽；以所述硬掩模层和包含沟槽图案的光刻胶层为掩模对形成有沟槽的介质层进行刻蚀，至暴露出半导体衬底，以形成通孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈满华，郝静安，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。