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本发明提出了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成铜金属互连线；以及在所述半导体衬底上未被所述铜金属互连线覆盖的区域形成层间介电层，所述层间介电层是由低k材料或超低k材料形成的。根据本发明的方法通过在铜金属互连线之后再形...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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