图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体基底，所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区；位于所述像素阵列区内的若干像素单元，所述像素单元之间通过第一浅沟槽隔离结构相隔离；位于所述周边器件区内的逻辑电路器件，所述逻辑电路器件之间通过第二浅沟槽隔离结构相隔离，且所述第一浅沟槽隔离结构的深度大于所述第二浅沟槽隔离结构的深度。由于只利用较深的第一浅沟槽隔离结构隔离像素单元，不需要形成P型阱区，节省了工艺步骤。且由于第一浅沟槽隔离结构主要用于隔离光电二极管产生的光电子不发生串扰，同时像素单元中的晶体管对应的工作电压也较低，即使具有气泡的第一浅沟槽隔离结构仍然能有效地进行电学隔离。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及图像传感领域，特别涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、手机照相、数码摄像机、医疗用摄像装置（例如胃镜）、车用摄像装置等，用于感测投射到半导体基底上的光线，并相应转化为电信号，形成图像信号。图像传感器通常包括若干像素单元构成的像素阵列区和与像素单元电连接的周边器件区。所述像素阵列区包括光电二极管及其他相应的晶体管（例如复位晶体管、转移晶体管等），利用光电二极管将外界光转换为光电子，并利用与光电二极管相连接的其他晶体管将光电子转换为电信号。所述周边器件区通常包括连接像素单元的逻辑电路对应的逻辑电路器件，通常包括输入/输出器件、模拟/数字（A/D）转换器等。现有技术中图像传感器的形成过程的剖面结构示意图如图1至图4所示，包括：请参考图1，提供P型的半导体基底10，所述半导体基底10包括像素阵列区Ⅰ和周边器件区Ⅱ；请参考图2，在像素阵列区Ⅰ和周边器件区Ⅱ之间、像素阵列区Ⅰ内形成第一浅沟槽隔离结构21，在所述周边器件区Ⅱ内形成第二浅沟槽隔离结构31，所述第一浅沟槽隔离结构21将像素阵列区Ⅰ分隔成阵列排列的若干个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区；位于所述像素阵列区内的若干像素单元，所述像素单元之间通过第一浅沟槽隔离结构相隔离；位于所述周边器件区内的逻辑电路器件，所述逻辑电路器件之间通过第二浅沟槽隔离结构相隔离，且所述第一浅沟槽隔离结构的深度大于所述第二浅沟槽隔离结构的深度。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区；在所述半导体基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构对应的位置，所述第一浅沟槽隔离结构位于像素阵列区内，所述第二浅沟槽隔离结构位于周边器件区内；以所述第一掩膜层为掩膜，对所述半导体基底进行刻蚀，在第一浅沟槽隔离结构对应的位置形成第一沟槽，在所述第二浅沟槽隔离结构对应的位置形成第二沟槽，利用同一刻蚀工艺形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽的深度和宽度取决于将周边器件区电学隔离所需要的第二浅沟槽隔离结构的深度和宽度，第一沟槽和第二沟槽的深度和宽度相同；在所述第一掩膜层和第二沟槽表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层至少暴露出第一沟槽；以所述第二掩膜层为掩膜对第一沟槽进行刻蚀形成第三沟槽，所述第三沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度，第三沟槽的深度由像素单元的深度所决定，第三沟槽的深度大于像素单元的深度，第三沟槽的宽度与第二沟槽的宽度相等，第三沟槽的深宽比大于3:1；采用高深宽比填孔工艺在第三沟槽、第二沟槽和第一掩膜层表面形成介质材料，且所述介质材料位于第三沟槽、第二沟槽位置的高度高于第一掩膜层的表面高度，所述高深宽比填孔工艺使得所述第二沟槽被介质材料完全填充满，当第三沟槽内部还未完全被介质材料填充满时...

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：