【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：晶圆；形成于所述晶圆中的多个光电二极管；形成于所述晶圆中、并将相邻两个光电二极管予以隔离的隔离结构，所述隔离结构的材料为高K介质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：费孝爱，邢家明，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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