提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及结构技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及CMOS图像传感器感光效率的提高；更具体地说，本专利技术涉及一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及相应的CMOS图像传感器结构。
技术介绍
目前，主流前照式CMOS图像传感器由于其外围电路所适用的制造技术为传统的CMOS逻辑电路制造流程，故其在光电二极管感光区域的硅衬底上方的薄膜层次典型为SAB(硅化物阻挡层)二氧化硅(用于金属硅化物的阻挡层)/CESL(接触孔刻蚀阻挡层)氮化硅(用于接触孔刻蚀阻挡层，此处也有用氮氧化硅的/ILD(层间电介质)二氧化硅(用于有源区与金属层隔离)，光线传输至位于硅衬底表面的光电二极管区前，需穿透这些层次，由于界面层的折射和反射会损失一部分光照强度，而损失的量由这些薄膜层的厚度和折射率决定，对于这三层的膜厚和折射率通常是逻辑电路的标准工艺决定的，即不同的逻辑电路的工艺决定了入射光量的损失大小。因此，希望能够提供一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率...
【技术保护点】
一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于包括：第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，完全刻蚀去除红光感光区的金属硅化物的阻挡层，使红光感光区的硅衬底裸露；第二步骤：生长接触孔刻蚀阻挡层。
【技术特征摘要】
1.一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于包括：第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，完全刻蚀去除红光感光区的金属硅化物的阻挡层，使红光感光区的硅衬底裸露；第二步骤：生长接触孔刻蚀阻挡层。2.根据权利要求1所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第一步骤，绿光感光区和蓝光感光区在所述掩膜板中定义为未打开，即对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀时，不会刻蚀去除绿光感光区和蓝光感光区的金属硅化物的阻挡层，不会暴露绿光感光区和蓝光感光区的硅衬底。3.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，调整薄膜生长工艺的参数使红光感光区的所述接触孔刻蚀阻挡层的折射率介于2.24±3％之间。4.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，使...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡彬，陈昊瑜，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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