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本发明提供了一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及结构。本发明的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法包括：第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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