【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W～3000W；间距：1000mil～2500mil；压力：4.1Torr～4.3Torr；温度：300℃～380℃。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：费孝爱，叶菁，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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