影像传感器结构制造技术

本公开提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：一基板；多个光电转换单元，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层，包围所述多个彼此分离之彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件，混掺一低折射率成分，填入所述多个彼此分离之彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离之彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫。本发明专利技术使得具有导电高分子元件的影像传感器结构的信噪比被提升。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种影像传感器结构，特别涉及一种具有导电高分子元件(conductivepolymerelement)的影像传感器结构。
技术介绍
影像传感器(imagesensor)为一种将光影像转换为电信号的半导体元件。影像传感器一般分为电荷耦合元件(CCD)与互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器。上述影像传感器中，互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器包括用来检测入射光与将其转换为电信号的光二极管，以及用来传输与处理电信号的逻辑电路。在一影像传感器中，为避免相邻彩色滤光片之间产生串音(crosstalk)，会在彩色滤光片之间设置网格(grid)。一般来说，多以金属或氧化物作为网格材料。然，由于长时间曝露在光阻液、显影液及去离子水中，在制备彩色滤光片的过程，金属网格会被腐蚀。再者，由于氧化物网格的折射率为定值(约1.46)，无法进一步增加网格与彩色滤光片之间的折射率变化。此外，在半导体制程中，例如在高速旋转晶圆的步骤中，静电荷会产生在晶圆上。遗憾地，带有静电荷的晶圆会影响在线(in-line)测量，得到错误数据，且会诱导产生高的暗电流(darkcurrent)。因此，开发一种其折射率可加以调整(可进一步增加网格与彩色滤光片之间的折射率变化)且为适当材料的新颖网格以提升例如敏感度或信噪比(SNR)的元件效能及有效解决静电荷因素是众所期待的。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种影像传感器结构。本公开的一实施例提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：一基板；多个光电转换单元(photoelectricconversionunits)，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片(colorfilters)，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层(firstlightshieldinglayer)，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件(firstconductivepolymerelement)，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫(groundingpad)。该光电转换单元(photoelectricconversionunits)包括一光二极管。所述多个彩色滤光片包括颜料、丙烯酸树脂或敏感性高分子。该第一遮光层包括颜料、丙烯酸树脂或敏感性高分子。该影像传感器结构还包括一成分(component)，混掺于该第一导电高分子元件中。该成分包括含氟丙烯酸高分子、含氟丙烯酸共聚高分子或其组合。该成分的折射率低于1.5。以该成分与该第一导电高分子元件的重量为基准，该成分的重量百分比为1～20wt％。该影像传感器结构还包括一第二遮光层(secondlightshieldinglayer)，包围该第一遮光层。该第二遮光层包括金属。在此实施例中，该第一导电高分子元件(firstconductivepolymerelement)通过金属接触窗(vias)与一金属导线电性连接该接地垫(groundingpad)。本公开的一实施例提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：一基板；多个光电转换单元(photoelectricconversionunits)，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片(colorfilters)，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层(firstlightshieldinglayer)，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件(firstconductivepolymerelement)，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫(groundingpad)。该影像传感器结构还包括一第二遮光层(secondlightshieldinglayer)，包围该第一遮光层。在此实施例中，该影像传感器结构还包括一第二导电高分子元件(secondconductivepolymerelement)，连接该第一导电高分子元件，其中该第二导电高分子元件与该第二遮光层接触。该第一导电高分子元件通过该第二导电高分子元件、该第二遮光层、金属接触窗(vias)与一金属导线电性连接该接地垫(groundingpad)。本公开的一实施例提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：一基板；多个光电转换单元(photoelectricconversionunits)，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片(colorfilters)，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层(firstlightshieldinglayer)，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件(firstconductivepolymerelement)，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫(groundingpad)。该影像传感器结构还包括一第二遮光层(secondlightshieldinglayer)，包围该第一遮光层。在此实施例中，该影像传感器结构(imagesensorstructure)还包括一第三导电高分子元件(thirdconductivepolymerelement)，连接该第一导电高分子元件，其中该第三导电高分子元件穿过该第一遮光层，连接至该第二遮光层。该第一导电高分子元件通过该第三导电高分子元件、该第二遮光层、金属接触窗(vias)与一金属导线电性连接该接地垫(groundingpad)。本公开的一实施例提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：一基板；多个光电转换单元(photoelectricconversionunits)，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片(colorfilters)，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层(firstlightshieldinglayer)，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件(firstconductivepolymerelement)，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫(groundingpad)。该影像传感器结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像传感器结构，包括：一基板；多个光电转换单元，形成于该基板中；多个彼此分离的彩色滤光片，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；一第一遮光层，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及一第一导电高分子元件，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电高分子元件电性连接一接地垫。

【技术特征摘要】
2014.09.26 US 14/497,8421.一种影像传感器结构，包括：
一基板；
多个光电转换单元，形成于该基板中；
多个彼此分离的彩色滤光片，形成于该基板与所述多个光电转换单元上；
一第一遮光层，包围所述多个彼此分离的彩色滤光片；以及
一第一导电高分子元件，填入所述多个彼此分离的彩色滤光片之间以及
填入所述多个彼此分离的彩色滤光片与该第一遮光层之间，其中该第一导电
高分子元件电性连接一接地垫。
2.如权利要求1所述的影像传感器结构，还包括一成分，混掺于该第一
导电高分子元件中。
3.如权利要求2所述的影像传感器结构，其中该成分包括含氟丙烯酸高
分子、含氟丙烯酸共聚高分子或其组合。
4.如权利要求3所述的影像传感器结构，其中该成分的折射率低于1.5。
5.如权利要求2所述的影像传感器结构，其中以该成分与该第一导电高
分子元件的重量为基准，该成分的重量百分比为1～20wt％。
6.如权利要求1所述的影像传感器结构，还包括一第二遮光层，包围该

【专利技术属性】
技术研发人员：许中荣，谢锦全，涂宗儒，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71