The utility model relates to the semiconductor field, in particular to an image sensor. The utility model comprises a key logic wafer and device wafer after closing, the groove is arranged on the wafer and the wafer device device top metal connected to the bottom of the groove is provided with a through hole connected with the top metal wafer logic, the grooves and the through holes covered with copper, the corner of the through hole is smooth the corner of mouth. In the utility model by electroplating with copper, copper filled first from the trench top down, then fill the bottom of the trench, the opening of the through hole is filled, and then gradually fill down, because the hole depth width ratio, filling copper can easily cause premature sealing phenomenon or empty in here. The through hole in the corner design into a large opening smooth corner, the groove filling by copper electroplating, copper is not easy opening in the stack, so you can avoid the production of cavities and sealing.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，具体来说是一种影像传感器。
技术介绍
在半导体、特别是影像传感器领域，通常采用电镀铜工艺进行互连，导通逻辑晶圆与像素晶圆，由于深槽的深宽比大，对填充能力要求严格，传统结构的影像传感器在铜填充工艺中极易形成空洞，如图2为传统结构的影像传感器在填充铜后的透射电子显微镜(TEM !Transmission electron microscope)不意图，可以明显看到通孔内有空洞，如图2所示，而空洞会对传感器的可靠性产生影响，传统背照式影像传感器的结构在电镀铜填充工艺存在空隙问题，迫切需要解决。目前还没有较好结构的影像传感器能避免在电镀铜工艺中空洞的产生。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种影像传感器解决上述空洞问题。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种影像传感器，包括键合后的逻辑晶圆和器件晶圆，所述器件晶圆上设有与器件晶圆顶层金属相连接的沟槽，所述沟槽底部设有与逻辑晶圆顶层金属连接的通孔，所述沟槽与通孔之中布满金属铜，所述通孔的拐角为大开口圆滑拐角。本技术的有益效果是:通过电镀方式填充铜时，铜先从沟槽的顶端往下填充，然后填充到沟槽的底部、即通孔的开口处填充，然后逐步向下填充，由于通孔的深宽比值大，在此处填充铜极易造成过早封口现象或空洞的产生，将所述通孔的拐角处设计成大开口圆滑拐角，使所述沟槽进行电镀铜填充时，铜不易在开口处堆积，这样就可以避免封口以及空洞的产生。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。进一步，所述沟槽拐角处为圆滑拐角。采用上述进一步方案的有益效果是，铜过多在沟槽的开口处堆积不利于后续铜的填充，将所述沟槽...
【技术保护点】
一种影像传感器，包括键合后的逻辑晶圆和器件晶圆,其特征在于，所述器件晶圆上设有与器件晶圆顶层金属相连接的沟槽,所述沟槽底部设有与逻辑晶圆顶层金属连接的通孔,所述沟槽与通孔之中布满金属铜,所述通孔的拐角为大开口圆滑拐角。
【技术特征摘要】
1.一种影像传感器，包括键合后的逻辑晶圆和器件晶圆，其特征在于，所述器件晶圆上设有与器件晶圆顶层金属相连接的沟槽，所述沟槽底部设有与逻辑晶圆顶层金属连接的通孔，所述沟槽与通孔之中布满金属铜，所述通孔的拐角为大开口圆滑拐角。2.根据权利要求1所述的一种影像传感器，其特征是:所述沟槽拐角处为圆滑拐角。3....
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