矩阵基板、检测装置和检测系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种矩阵基板、检测装置和检测系统，其中所述矩阵基板包括以行和列的矩阵形式进行设置的多个像素。在所述矩阵基板中，单元电路中所包括的晶体管的导通电压和非导通电压以驱动像素的频率的一半的频率被提供至控制线，其中，所述单元电路包括连接至多个连接端子的信号分离器，所述多个连接端子被设置为数量少于驱动线的数量，所述驱动线共同地连接至行方向上的多个像素并且在列方向上彼此并列设置，所述控制线连接至晶体管的控制电极。因而，提供了能够抑制连接端子的数量并减少耗电的矩阵基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种矩阵基板(matrix substrate)、检测装置和检测系统,尤其涉及一种可以应用于医疗诊断摄像装置、非破坏性检查装置和使用放射线的分析装置的矩阵基板、检测装置和检测系统。
技术介绍
近年来，薄膜半导体制造技术已用于具有像素阵列的矩阵基板以及使用该矩阵基板的检测装置或放射线检测装置，在该像素阵列中，诸如薄膜晶体管(TFT)等的开关元件与诸如光电转换元件等的转换元件相结合。近年来正在对检测装置中的、将信号分离器形成在与像素阵列相同的基板上的技术进行检验。美国专利5，536，932论述了以下内容。检测装置包括设置有多个TFT的信号分离器，其中，该多个TFT被设置为在外部栅极端子和多个栅极线(驱动线)之间与多个栅极线分别对应，该外部栅极端子被设置为与外部移位寄存器的端子一一对应。此外，信号分离器顺次选择像素阵列的驱动线，以将时钟信号(控制信号)经由时钟线(控制线)施加至所有的多个TFT。同时，在美国专利5，536，932中，每次在信号分离器顺次选择像素阵列的驱动线时，时钟信号(控制信号)经由时钟线(控制线)施加至所有的多个TFT。因此，时钟线(控制线)中时钟信号(控制信号)的频率增加。尤其是，当驱动线的数量随像素阵列的大面积化和高精细化而增加时，或当减少栅极线的扫描时间以进行高速操作时，时钟信号(控制信号)的频率增加。结果，由时钟线(控制线)产生的耗电增加。
技术实现思路
本专利技术所说明的典型实施例描述了能够限制外部栅极端子的数量并减少耗电的检测装置、检测系统和检测装置的驱动方法的创新方面。根据本专利技术的一个方面，提供了一种矩阵基板，其包括:多个像素，以行和列的矩阵形式进行设置；多条驱动线，在列方向上并列设置，并且共同连接至行方向上的多个像素；多个连接端子，被设置为数量少于所述多条驱动线的数量，并且用于将用于驱动所述多个像素的驱动电路与所述多条驱动线相连接；以及信号分离器，包括多个单元电路和多条控制线，并用于将所述多个连接端子连接至所述多条驱动线；其中，所述多个单元电路中的各个单元电路包括用于将所述多个连接端子中的预定连接端子连接至所述多条驱动线中的两条或更多条预定驱动线的多个晶体管；以及其中，所述多条控制线连接至所述多个晶体管的控制电极，以提供所述多个晶体管的导通电压和非导通电压；其中，所述多个单元电路包括预定单元电路以及与所述预定单元电路邻接的另一单元电路；以及所述预定单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述另一单元电路的位置处的晶体管的控制电极与所述另一单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述预定单元电路的位置处的晶体管的控制电极连接至所述多条控制线中的同一控制线。根据本专利技术的另一方面 ，提供了一种检测装置，其包括矩阵基板；所述驱动电路；以及控制电路，用于向所述控制线提供所述晶体管的导通电压和非导通电压；其中，所述控制电路以驱动所述多个像素的频率的一半的频率，向所述控制线提供所述晶体管的导通电压和非导通电压。根据本专利技术的另一方面，提供了一种检测系统，包括检测装置；信号处理单元，用于处理来自所述检测装置的信号；记录单元，用于记录来自所述信号处理单元的信号；显示单元，用于显示来自所述信号处理单元的信号；以及发送处理单元，用于发送来自所述信号处理单元的信号。此外，根据本专利技术的另一方面，提供了一种检测装置，其包括:多个像素，以行和列的矩阵形式进行设置；多条驱动线，在列方向上并列设置，并且共同连接至行方向上的多个像素；驱动电路，用于驱动所述多个像素；多个连接端子，被设置为数量少于所述多条驱动线的数量，并且用于将所述驱动电路与所述多条驱动线相连接；信号分离器，包括多个单元电路和多条控制线，并用于将所述多个连接端子连接至所述多条驱动线，其中，所述多个单元电路中的各个单元电路包括用于将所述多个连接端子中的预定连接端子与所述多条驱动线中的两条或更多条预定驱动线相连接的多个晶体管，并且所述多条控制线连接至所述多个晶体管的控制电极以提供所述晶体管的导通电压和非导通电压；以及控制电路，用于向所述控制线提供所述晶体管的导通电压和非导通电压；其中，所述控制电路以驱动所述像素的频率的一半的频率，向所述控制线提供所述晶体管的导通电压和非导通电压。根据本专利技术的典型实施例，可以减少控制信号(时钟信号)的频率，因而可以减少由时钟线产生的耗电。由此，本专利技术可以提供能够限制外部栅极端子的数量并减少耗电的检测装置、检测系统和检测装置的驱动方法。通过以下参考附图对典型实施例的详细说明，本专利技术的其它特征和方面将变得明显。附图说明包含在说明书中并构成说明书一部分的附图示出了本专利技术的典型实施例、特征和方面，并和说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1A是示出根据本专利技术的第一典型实施例的检测装置和矩阵基板的电路图。图1B是示出第一典型实施例的检测装置中的定时电路操作的时序图。图2A是示出根据检测装置和矩阵基板的像素的示意截面图。图2B是检测装置的示意图。图3是示出根据本专利技术的第二典型实施例的检测装置和矩阵基板的电路图。图4A和4B是示出第二典型实施例的检测装置和矩阵基板中的定时电路操作的时序图。图5A是根据本专利技术第三典型实施例的检测装置和矩阵基板中的检测装置的示意图。图5B是示出根据第三典型实施例的检测装置和矩阵基板的电路图。图6是示出根据第三典型实施例的检测装置和矩阵基板中的检测装置的示意图。 图7A和7B是示出根据第三典型实施例的检测装置和矩阵基板中的定时电路操作的时序图。图8是示出检测装置被应用到检测系统中的示例的示意图。具体实施例方式以下将参考附图来详细说明本专利技术的各个典型实施例、特征和方面。现在将说明第一典型实施例。如图1A所示，根据本典型实施例的用于检测装置的矩阵基板以及检测装置各自包括像素阵列，该像素阵列包括以行和列的矩阵形式排列在支撑基板100上的多个像素101。像素101用于响应于入射在其上的放射线或光来输出电信号。各个像素101包括:转换元件102，用于将放射线或光转换为电荷；以及开关元件103，用于输出与转换元件102所生成的电荷相应的电信号。这里，在本典型实施例中，转换元件102包括:闪烁体,其将放射线转换为光；以及光电转换兀件，其将光转换为电荷，但本专利技术不限于此示例。可以将不使用闪烁体而将放射线直接转换为电荷的直接型转换元件用作转换元件102。此外，可以将非晶硅或多晶硅TFT用作开关元件103。这里，硅可以用于TFT，但本专利技术不限于该示例，并且可以使用诸如锗的任何其它半导体材料。此外，多晶硅TFT可以用作开关元件103。转换元件102的第一电极电连接至开关元件103的第一主电极，并且转换元件102的第二电极电连接至偏压线106。参考图1A，偏压线106在列方向上延伸，并被连接为被列方向上排列的多个转换元件102经由其第二电极所共用。此外，多个偏压线106并列地排列在行方向上，并且多个偏压线106连接至共通线107以形成共通偏压线108。共通偏压线108经由连接端子109电连接至外部电源电路(未示出)。开关元件103的第二主电极电连接至信号线105。信号线105在列方向上延伸，并被连接为由在列方向上排列的多个开关元件103经由其第二主电极来共用。此外，多个信号线105并列地排列在行方向上，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种矩阵基板，包括：多个像素，以行和列的矩阵形式进行设置；多条驱动线，在列方向上并列设置，并且共同连接至行方向上的多个像素；多个连接端子，被设置为数量少于所述多条驱动线的数量，并且用于将用于驱动所述多个像素的驱动电路与所述多条驱动线相连接；以及信号分离器，包括多个单元电路和多条控制线，并用于将所述多个连接端子连接至所述多条驱动线；其中，所述多个单元电路中的各个单元电路包括用于将所述多个连接端子中的预定连接端子连接至所述多条驱动线中的两条或更多条预定驱动线的多个晶体管；以及其中，所述多条控制线连接至所述多个晶体管的控制电极，以提供所述多个晶体管的导通电压和非导通电压；其中，所述多个单元电路包括预定单元电路以及与所述预定单元电路邻接的另一单元电路；以及所述预定单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述另一单元电路的位置处的晶体管的控制电极与所述另一单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述预定单元电路的位置处的晶体管的控制电极连接至所述多条控制线中的同一控制线。

【技术特征摘要】
2012.01.19 JP 2012-0093051.一种矩阵基板，包括: 多个像素，以行和列的矩阵形式进行设置； 多条驱动线，在列方向上并列设置，并且共同连接至行方向上的多个像素； 多个连接端子，被设置为数量少于所述多条驱动线的数量，并且用于将用于驱动所述多个像素的驱动电路与所述多条驱动线相连接；以及 信号分离器，包括多个单元电路和多条控制线，并用于将所述多个连接端子连接至所述多条驱动线； 其中，所述多个单元电路中的各个单元电路包括用于将所述多个连接端子中的预定连接端子连接至所述多条驱动线中的两条或更多条预定驱动线的多个晶体管；以及 其中，所述多条控制线连接至所述多个晶体管的控制电极，以提供所述多个晶体管的导通电压和非导通电压； 其中，所述多个单元电路包括预定单元电路以及与所述预定单元电路邻接的另一单元电路；以及 所述预定单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述另一单元电路的位置处的晶体管的控制电极与所述另一单元电路中所包括的多个晶体管中的设置在最接近所述预定单元电路的位置处的晶体管的控制电极连接至所述多条控制线中的同一控制线。2.根据权利要求1所述的矩阵基板，其中， 所述信号分离器还包括:第一信号分离器电路，其包括各自连接至所述多个连接端子中的预定连接端子的晶体管； 以及第二信号分离器电路，其连接至所述第一信号分离器电路和所述驱动线，以及 所述第二信号分离器电路包括与所述第一信号分离器电路中的晶体管中的至少一个晶体管串联的第二晶体管。3.根据权利要求1所述的矩阵基板，其中， 所述晶体管向所述驱动线提供用于使得所述像素处于被选择的状态的第一电压，以及其中，所述单元电路还包括:多个第三晶体管，其被设置为与所述驱动线一一对应，并且向所述驱动线提供用于使得所述像素处于未被选择的状态的第二电压。4.根据权利要求1所述的矩阵基板，其中， 所述信号分离器还包括:多个第四晶体管，其被设置为与所述多个晶体管并联，以及所述多个第四晶体管的控制电极共同地电连接至如下连接端子:在像素相加模式下，向该连接端子供给所述多个第四晶体管的导通电压。5.根据权利要求3所述的矩阵基板，其中， 所述像素包括:开关元件，其输出与转换元件所生成的电荷相应的电信号，其中，所述转换元件用于将放射线或光转换为电荷，所述第一电压是所述开关元件的导通电压，并且所述第二电压是所述开关元件的非导通电压。6.根据权利要求5所述的矩阵基板，其中， 所述转换元件包括:闪烁体，用于将放射线转换为光；以及光电转换元件，用于将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山启吾，望月千织，渡边实，大藤将人，川锅润，藤吉健太郎，和山弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：