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一种影像传感器制造技术

技术编号:8976637 阅读:136 留言:0更新日期:2013-07-26 05:12
本实用新型专利技术涉及一种感光元件,具体的是一种影像传感器。它包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属遮蔽层,所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜,其特征在于,还包括热膨胀缓冲层,所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间,所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。在所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间增加了热膨胀缓冲层,使本实用新型专利技术在外界温度产生变化的时候,所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间有一个热缓冲的过渡,较好的解决了薄膜脱落的问题。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

Image sensor

The utility model relates to a photosensitive element, in particular to an image sensor. It includes a silicon wafer, the silicon wafer is attached to the steam steam oxide, oxide with high dielectric layer, the dielectric layer is attached with a metal shielding layer, wherein the metal shielding layer is attached on the filter and transparent mirror, which is characterized in that the thermal expansion also includes a buffer layer, wherein the heat the expansion buffer layer is positioned on the steam oxide and the high dielectric layer between the expansion buffer layer attached to the steam oxide. Between the steam and the high dielectric oxide layer increases the thermal expansion of the buffer layer, when the utility model changes in the ambient temperature, the transition has a thermal buffer between the steam and the high oxide dielectric layer, to solve the problem of falling film.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种感光元件,具体的是一种影像传感器
技术介绍
传统的影像传感器在硅晶圆背面减薄后,会生长一蒸气氧化物,其厚度约为10人(埃),蒸气氧化物的作用在于硅表面处理,减少表面缺陷。接着淀积高介质层,所述高介质层可以为氧化铪、氧化钽、氧化锆等等,然后淀积金属遮蔽层,防止色彩串扰,最后就是滤光片及微透镜等后续工艺。但是这种结构的影像传感器存在一个问题,因蒸气氧化物很薄,对热膨胀影响几乎忽略不计,硅晶圆的热膨胀系数约为2.5E-6m/K,而高介质层(一般为Hf205)的热膨胀系数为5.8E-6m/K,两者相差很大,在后续热处理中因膨胀与收缩的不同,极易造成剥落的问题。对于薄膜剥落的问题,现有解决方案一般会通过表面清洗增加薄膜间的粘度来解决,但是这种效果并不好,因为薄膜间的粘度很大程度上是由其相互本身的性质决定的。目前急需要一种更好的解决方法来解决薄膜脱落的问题。
技术实现思路
本技术所要解决 的技术问题是提供一种影像传感器来解决薄膜脱落的问题。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种影像传感器,包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种影像传感器,包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属遮蔽层,所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜,其特征在于,还包括热膨胀缓冲层,所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间,所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。

【技术特征摘要】
1.一种影像传感器,包括硅晶圆,所述硅晶圆上附着有蒸汽氧化物,所述蒸汽氧化物上有高介质层,所述高介质层上附着有金属遮蔽层,所述金属遮蔽层上附着有滤光片及透光镜,其特征在于,还包括热膨胀缓冲层,所述热膨胀缓冲层位于所述蒸汽氧化物和所述高介质层之间,所述膨胀缓冲层附着在所述蒸汽氧化物上。2.根据权利要求1所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员:李平
申请(专利权)人:陆伟
类型:实用新型
国别省市:

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