System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光谱仪制造技术_技高网

光谱仪制造技术

技术编号:40253654 阅读:3 留言:0更新日期:2024-02-02 22:46
本发明专利技术涉及一种光谱仪,其包含导光基板、上部光栅层、下部光栅层、影像感测器以及读取电路。上部光栅层设置于导光基板上并配置以接收光。上部光栅层包含第一光栅结构、第二光栅结构以及第三光栅结构,且第一、第二以及第三光栅结构彼此具有不同的光栅周期。导光基板配置以当光传递进入至导光基板时来绕射光,并形成多个绕射光,且多个绕射光各自具有不同的波长和光程。下部光栅层设置于导光基板下并配置以发出多个绕射光。影像感测器设置于下部光栅层下。读取电路设置于影像感测器下。本发明专利技术的光谱仪可以提供高分辨率的分析结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种光谱仪,且特别是关于一种具有三种不同光栅结构的光谱仪。


技术介绍

1、一般来说,可以通过多种分析仪器进行光谱分析。例如,传统的反射光栅光谱可以分析可见光或近红外光的波长,而傅立叶转换红外光(fourier transform infrared;ftir)光谱仪(诸如麦克森干涉仪(michelson interferometer))可以分析红外光的波长。然而,没有仪器可以分析紫外-可见-红外光的宽带光谱。此外,上述分析仪器体积大且昂贵。因此,需要解决上述问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种光谱仪。光谱仪包含导光基板、上部光栅层、下部光栅层、影像感测器以及读取电路。上部光栅层设置于导光基板上并配置以接收光。上部光栅层包含第一光栅结构、第二光栅结构以及第三光栅结构,且第一、第二以及第三光栅结构彼此具有不同的光栅周期。导光基板配置以当光传递进入至导光基板时来绕射光,并形成多个绕射光,且多个绕射光各自具有不同的波长和不同的光程。下部光栅层设置于导光基板下并配置以发出多个绕射光。影像感测器设置于下部光栅层下。读取电路设置于影像感测器下。

2、在一些实施方式中,第一光栅结构为二阶的光栅结构,配置以接收紫外光和可见光。

3、在一些实施方式中,第一光栅结构的光栅周期介于0.3μm和0.4μm之间。

4、在一些实施方式中,第二光栅结构为三阶的光栅结构,配置以接收近红外光。

5、在一些实施方式中,第二光栅结构的光栅周期介于0.6μm和0.7μm之间。

6、在一些实施方式中,第三光栅结构为三阶的光栅结构,配置以接收短波红外光。

7、在一些实施方式中,第三光栅结构的光栅周期介于0.95μm和1.05μm之间。

8、在一些实施方式中,光谱仪还包括设置于导光基板上方的准直器,其中准直器配置以约束光的入射角,准直器包含分别与第一光栅结构、第二光栅结构以及第三光栅结构对准的三个开口。

9、在一些实施方式中,准直器配置以将光的入射角限制在±2度或更小的范围内。

10、一些实施方式中,光谱仪还包括设置于准直器和导光基板之间的顶部披覆层。

11、在一些实施方式中,导光基板的光的临界角介于32度和75度之间。

12、在一些实施方式中,导光基板的厚度介于100μm和2mm之间。

13、在一些实施方式中,导光基板的长度介于500μm和2000μm之间。

14、在一些实施方式中,第一光栅结构、第二光栅结构以及第三光栅结构皆具有相同的高度。

15、在一些实施方式中,上部光栅层的折射率介于1.5和2.7之间。

16、在一些实施方式中,导光基板的折射率介于1.5和2.7之间。

17、在一些实施方式中,上部光栅层的材料相同于导光基板的材料。

18、在一些实施方式中,上部光栅层的材料不同于导光基板的材料。

19、在一些实施方式中,影像感测器是量子点影像感测器、钙钛矿(perovskite)影像感测器或有机光电二极管影像感测器。

20、在一些实施方式中,影像感测器包含硅光电二极管阵列以及硅基锗光电二极管阵列,硅基锗光电二极管阵列横向排列于硅光电二极管阵列。

21、在一些实施方式中,光谱仪还包括设置于下部光栅层和影像感测器之间的带通滤波层。

22、在一些实施方式中,光谱仪还包括设置于下部光栅层和带通滤波层之间的底部披覆层。

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【技术保护点】

1.一种光谱仪,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第一光栅结构为二阶的光栅结构,且配置以接收紫外光和可见光,该第一光栅结构的光栅周期介于0.3μm和0.4μm之间。

3.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第二光栅结构为三阶的光栅结构,且配置以接收近红外光,该第二光栅结构的光栅周期介于0.6μm和0.7μm之间。

4.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第三光栅结构为三阶的光栅结构,且配置以接收短波红外光,该第三光栅结构的光栅周期介于0.95μm和1.05μm之间。

5.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,还包括设置于该导光基板上方的准直器,其中该准直器配置以约束该光的入射角,该准直器包括分别与该第一光栅结构、该第二光栅结构以及该第三光栅结构对准的三个开口。

6.根据权利要求5所述的光谱仪,其特征在于,该光的该入射角在±2度或更小的范围内,该导光基板的厚度介于100μm和2mm之间。

7.根据权利要求5所述的光谱仪,其特征在于,还包括设置于该准直器和该导光基板之间的顶部披覆层。

8.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该上部光栅层的折射率介于1.5和2.7之间,该导光基板的折射率介于1.5和2.7之间。

9.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该影像感测器是量子点影像感测器、钙钛矿影像感测器或有机光电二极管影像感测器。

10.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该影像感测器包括硅光电二极管阵列以及硅基锗光电二极管阵列,该硅基锗光电二极管阵列横向排列于该硅光电二极管阵列。

11.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,还包括带通滤波层以及底部披覆层,该带通滤波层设置于该下部光栅层和该影像感测器之间,该底部披覆层设置于该下部光栅层和该带通滤波层之间。

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【技术特征摘要】

1.一种光谱仪,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第一光栅结构为二阶的光栅结构,且配置以接收紫外光和可见光,该第一光栅结构的光栅周期介于0.3μm和0.4μm之间。

3.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第二光栅结构为三阶的光栅结构,且配置以接收近红外光,该第二光栅结构的光栅周期介于0.6μm和0.7μm之间。

4.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,该第三光栅结构为三阶的光栅结构,且配置以接收短波红外光,该第三光栅结构的光栅周期介于0.95μm和1.05μm之间。

5.根据权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,还包括设置于该导光基板上方的准直器,其中该准直器配置以约束该光的入射角,该准直器包括分别与该第一光栅结构、该第二光栅结构以及该第三光栅结构对准的三个开口。

6.根据权利要求5所述的光谱仪,其特征在于,该光的...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖来宏谢馨仪谢锦全
申请(专利权)人:采钰科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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