【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种影像感测装置，且特别关于一种在影像感测装置中的偏转器。
技术介绍
1、在互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor；cmos)影像感测装置(image sensor)(也可称为cis)的领域中，影像感测装置可包含透镜层、彩色滤光层以及多个光电二极管。透镜层配置以接收外部光，光电二极管配置以检测此外部光，其中每个光电二极管可以被多个深沟槽隔离(deep trench isolation；dti)分隔开。然而，当透镜层与彩色滤光层和/或光电二极管没有对准(misalign)时，dti的存在可能导致外部光的能量分布不平衡。因此，需要解决上述光点(light-spot)偏移的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一态样是提供一种影像感测装置。影像感测装置包含光电转换层、多个深沟槽隔离、第一彩色滤光器、第一偏转器以及覆盖层。光电转换层包含第一光电二极管和第二光电二极管。深沟槽隔离分隔第一光电二极管和第二光电二极管，其中两个相邻的深沟槽隔离之间的距离定义出像素尺寸。第一彩色滤光器设置于第一光电二极管和第二光电二极管上。第一偏转器设置于第一彩色滤光器上。覆盖层覆盖并围绕第一偏转器。覆盖层的折射率大于第一偏转器的折射率，且覆盖层的折射率与第一偏转器的折射率之间的差值介于0.15和0.6之间。
2、在一些实施方式中，第一偏转器的顶部宽度与第一偏转器的底部宽度的比例介于1/4和1之间。
3、在一些实施
4、在一些实施方式中，第一彩色滤光器的侧壁与第一偏转器的底部的侧壁之间的间隙介于0.1和0.5个像素尺寸之间。
5、在一些实施方式中，影像感测装置还包含第三光电二极管、第四光电二极管、第二彩色滤光器以及第二偏转器。第三光电二极管和第四光电二极管在光电转换层中，其中深沟槽隔离分隔第三光电二极管和第四光电二极管。第二彩色滤光器设置于第三光电二极管和第四光电二极管上。第二偏转器设置于第二彩色滤光器上。第二偏转器与第一偏转器间隔开来，第一偏转器和第二偏转器皆沿着第一方向延伸，并沿着垂直于第一方向的第二方向排列。覆盖层覆盖并围绕第二偏转器。
6、在一些实施方式中，第一偏转器的底部宽度或底部长度与像素尺寸的比例介于1和1.8之间，且第二偏转器的底部宽度或底部长度与像素尺寸的比例介于1和1.8之间。
7、在一些实施方式中，第一偏转器的底部宽度与第一偏转器的底部长度之间的差值介于0.1和0.5个像素尺寸之间。
8、在一些实施方式中，第一彩色滤光器的侧壁与第一偏转器的底部的侧壁之间的第一间隙相同于第二彩色滤光器的侧壁与第二偏转器的底部的侧壁之间的第二间隙，其中第一间隙小于0.4个像素尺寸。
9、在一些实施方式中，第一偏转器的第一高度介于150nm和800nm之间，第二偏转器的第二高度介于150nm和800nm之间，且第一高度不同于第二高度。
10、在一些实施方式中，影像感测装置还包含第五光电二极管、第六光电二极管、第三彩色滤光器以及第三偏转器。第五光电二极管和第六光电二极管在光电转换层中，其中深沟槽隔离分隔第五光电二极管和第六光电二极管。第三彩色滤光器设置于第五光电二极管和第六光电二极管上。第三偏转器设置于第三彩色滤光器上。第三偏转器与第一偏转器和第二偏转器间隔开来，且第三偏转器沿着第一方向延伸并沿着第二方向排列。覆盖层覆盖并围绕第三偏转器。
11、在一些实施方式中，第一偏转器的底部宽度相同于第二偏转器的底部宽度，且第一偏转器的底部长度相同于第三偏转器的底部长度。
12、在一些实施方式中，第一偏转器的底部宽度相同于第三偏转器的底部宽度，且第一偏转器的底部长度相同于第二偏转器的底部长度。
13、在一些实施方式中，影像感测装置还包含第五光电二极管、第六光电二极管以及第三彩色滤光器。深沟槽隔离分隔第五光电二极管和第六光电二极管。第三彩色滤光器设置于第五光电二极管和第六光电二极管上。第三彩色滤光器上没有设置第一偏转器和第二偏转器。
14、在一些实施方式中，第一偏转器的底部宽度相同于第一偏转器的底部长度。第一偏转器设置于第一彩色滤光器与第二彩色滤光器的交界处上方。
15、在一些实施方式中，第一彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴与第一偏转器的对称轴错位。第二彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴与第二偏转器的对称轴错位。第一偏转器的对称轴相对于该第一彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量与第二偏转器的对称轴相对于该第二彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量之间差值介于0和0.5个像素尺寸之间。
16、在一些实施方式中，影像感测装置还包含设置于覆盖层上的透镜层。
17、在一些实施方式中，第一偏转器连续地从覆盖层的底表面延伸至第一彩色滤光器的顶表面，以覆盖并围绕第一彩色滤光器。
18、在一些实施方式中，影像感测装置还包含设置于第一偏转器上方的第一透镜。第一彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴、第一偏转器的对称轴以及覆盖层的对称轴彼此错位。第一偏转器的对称轴相对于该第一彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量小于第一透镜的对称轴相对于该第一彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量。
19、在一些实施方式中，第一偏转器的对称轴的偏移量与第一透镜的对称轴的偏移量之间的差值介于0.1和0.8个该像素尺寸之间。
20、在一些实施方式中，影像感测装置还包含设置于第一彩色滤光器和第一偏转器之间的缓冲层。第一偏转器的折射率大于缓冲层的折射率，且缓冲层的折射率大于第一彩色滤光器的折射率。
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1.一种影像感测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的顶部宽度与该第一偏转器的底部宽度的比例介于1/4和1之间，
3.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的底部宽度或底部长度与该像素尺寸的比例介于1和1.8之间，且该第二偏转器的底部宽度或底部长度与该像素尺寸的比例介于1和1.8之间，
5.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一彩色滤光器的侧壁与该第一偏转器的底部的侧壁之间的第一间隙相同于该第二彩色滤光器的侧壁与该第二偏转器的底部的侧壁之间的第二间隙，其中该第一间隙小于0.4个该像素尺寸，
6.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的底部宽度相同于该第二偏转器的底部宽度，且该第一偏转器的底部长度相同于该第三偏转器的底部长度，
8.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的底部宽度相同于该第一偏转器的底部长度，该第一偏转器设置于该第一彩色滤光器与该第二彩色滤光器的交界处上方。
10.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴与该第一偏转器的对称轴错位，且该第二彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴与该第二偏转器的对称轴错位，
11.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，还包括透镜层与缓冲层，其中该透镜层设置于该覆盖层上，该缓冲层设置于该第一彩色滤光器和该第一偏转器之间，
12.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器连续地从该覆盖层的底表面延伸至该第一彩色滤光器的顶表面，以覆盖并围绕该第一彩色滤光器。
13.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，还包括设置于该第一偏转器上方的第一透镜，其中该第一彩色滤光器下方的深沟槽隔离的对称轴、该第一偏转器的对称轴以及该覆盖层的对称轴彼此错位，该第一偏转器的该对称轴相对于该第一彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量小于该第一透镜的该对称轴相对于该第一彩色滤光器下方的该深沟槽隔离的该对称轴的偏移量，
...【技术特征摘要】
1.一种影像感测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的顶部宽度与该第一偏转器的底部宽度的比例介于1/4和1之间，
3.根据权利要求1所述的影像感测装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的底部宽度或底部长度与该像素尺寸的比例介于1和1.8之间，且该第二偏转器的底部宽度或底部长度与该像素尺寸的比例介于1和1.8之间，
5.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，该第一彩色滤光器的侧壁与该第一偏转器的底部的侧壁之间的第一间隙相同于该第二彩色滤光器的侧壁与该第二偏转器的底部的侧壁之间的第二间隙，其中该第一间隙小于0.4个该像素尺寸，
6.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的影像感测装置，其特征在于，该第一偏转器的底部宽度相同于该第二偏转器的底部宽度，且该第一偏转器的底部长度相同于该第三偏转器的底部长度，
8.根据权利要求3所述的影像感测装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求3所述的影像...
【专利技术属性】
技术研发人员：李京桦，王俊元，涂宗儒，王柏翔，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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