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本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W...
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