具有交替选择的相变存储阵列块制造技术

本发明专利技术公开了一种相变存储器。该相变存储器具有多个块单元。所述块单元交替地被选择。交替的块单元选择抑制了子字线和通过子字线驱动器晶体管连接的地线上的峰值电流地弹跳。交替的位线选择避免了所选块单元中的邻近单元热干扰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体存储器。更具体地，本专利技术涉及相变存储器。
技术介绍
至少ー种类型的相变存储器件——PRAM (相变随机存取存储器)——使用非晶态表示逻辑“I”并使用晶态表示逻辑“O”。在PRAM器件中，晶态被称为“置位状态”，并且非晶态被称为“复位状态”。因此，PRAM中的存储单元通过将该存储单元中的相变材料设置成晶态来存储逻辑“0”，而且该存储单元通过将相变材料设置成非晶态来存储逻辑“ I ”。通过将相变材料加热到高于预定熔融温度的第一温度并之后快速冷却该相变材料而将PRAM中的相变材料转换成非晶态。通过将相变材料加热到比熔融温度低但高于结晶温度的第二温度并保持一定的时间而将该相变材料转换到晶态。因此，通过使用上面描述的加热和冷却使PRAM的存储单元中的相变材料在非晶态与晶态之间转换，能够将数据编程到PRAM中的存储单元中。PRAM中的相变材料典型地包括含有锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)的化合物，即“GST”化合物。GST化合物非常适用于PRAM，因为其能够通过加热和冷却而在非晶态与晶态之间快速转换。除了 GST化合物之外，或者作为GST化合物的替代，各种其他的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘弘柏，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：
国别省市：