电阻转变存储器阵列及对其进行存储操作的方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻转变存储器阵列，包括：多条字线、多条位线、以及多个电阻转换存储单元，每个电阻转换存储单元位于一条字线和一条位线的交叉区；每个电阻转变存储单元包括一个电阻转变存储器件和一个选通器件，在电阻转变存储器件的下电极上引出一个监控电极，用于分别监测电阻转变存储器件和选通器件的性能。本发明专利技术同时公开了一种对电阻转变存储器阵列进行写或读操作的方法。本发明专利技术由于采用晶体管作为阵列中的选通器件，可以有效控制电阻转变存储器件置位过程中流经存储器件的电流，同时由于在电阻转变存储单元中，选通器件与存储器件直接相连，可以有效避免在传统限流方式由于寄生电容引起的电流过冲现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别是一种。
技术介绍
在半导体市场中，存储器所占的份额在40%以上。由于便携式电子设备的不断普及，非挥发存储器(NVM)的市场需求迅速增长。闪存(FLASH)是目前非挥发存储器市场上的主流器件。但随着微电子技术节点不断向前推进，基于电荷存储机制的闪存技术遭遇诸如隧穿层不能随技术发展无限减薄以及与嵌入式系统集成等严重的技术瓶颈，迫使人们寻求下一代新型非挥发存储器。 电阻随机存储器(Resistive Random Access Memory)因其具有简单的器件结构、低压低功耗操作、擦写速度快和极佳的尺寸缩小性等优势，并且其材料与当前CMOSエ艺兼容等特点引起高度关注。众多的材料体系被报道具有电阻转变特性，如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物和ニ元金属氧化物等。在这些材料体系中，ニ元金属氧化物(Zr02、HfO2, NiO, TiO2, Ta2O5, CuOx等)由于在组分精确控制、与CMOSエ艺兼容性的潜在优势更加受到青睐。在对电阻转变存储器件进行置位操作时，为了防止电流突然增大导致器件永久击穿，应设置限制电流。在传统电阻转变存储器件中，限制电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻转变存储器阵列，其特征在于，包括：多条字线、多条位线、以及多个电阻转换存储单元，每个电阻转换存储单元位于一条字线和一条位线的交叉区；每个电阻转变存储单元包括一个电阻转变存储器件和一个选通器件，在电阻转变存储器件的下电极上引出一个监控电极，用于分别监测电阻转变存储器件和选通器件的性能。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，连文泰，龙世兵，刘琦，吕杭炳，谢常青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：