存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上并设置在电阻变化层侧，并且所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在第二电极侧。根据本发明专利技术，离子源层可免于劣化，且存储元件的耐热性提高。换言之，所形成的存储装置的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置相关申请的交叉引用本申请包含与2011年6月30日向日本专利局提交的日本专利申请JP2011-146113中公开的相关主题并要求其优先权，将其全部内容通过引用并入此处。
本专利技术涉及一种基于在包括离子源层和电阻变化层的存储层中观察到的电气特性的任何变化而存储信息的存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置。
技术介绍
在诸如计算机等信息设备中，广泛使用的随机存取存储器为运行速度高且密度大的DRAM(动态随机存取存储器)。然而，相比于通常用于电子设备中的逻辑电路LSI(大规模集成电路)或信号处理电路，由于DRAM的制造工艺复杂，故DRAM的制造成本高。因为DRAM为易失性存储器，当切断电源时，DRAM中的任何所存信息会丢失，故DRAM还必需频繁进行刷新操作、即读出任何所写信息(数据)并将所述信息再次放大以进行重写的操作。此前，作为即使切断电源也不会从中擦除信息的非易失性存储器，人们提出了闪存、FeRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁阻随机存取存储器)等。这些类型的存储器能够在不供电的情况下长时间保持任何所写信息。然而，这些类型的存储器各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层以及第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在所述第二电极侧，并且所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上并设置在所述电阻变化层侧，而所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于所述第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在所述第二电极侧。

【技术特征摘要】
2011.06.30 JP 2011-1461131.一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层以及第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在所述第二电极侧，并且所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上并设置在所述电阻变化层侧，而所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于所述第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在所述第二电极侧，其中，所述金属元素包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上金属元素，并且所述第二离子源层包含的由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上金属元素的含量高于所述第一离子源层。2.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述第一离子源层包括一个以上第一层和一个以上第二层，所述第一层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上以及易于在所述存储层中移动的易移动元素，并具有从所述第一电极向所述第二电极的所述易移动元素的浓度梯度，并且所述第二层包含难以在所述存储层中移动的难移动元素。3.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述金属元素为还包含铜、铝、锗以及锌中的一种以上。4.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述第二离子源层中的硫族元素的含量低于所述第一离子源层中的硫族元素的含量。5.如权利要求3所述的存储元件，其中，所述第二离子源层中的铜、铝、锗以及锌中的一种以上金属元素的含量高于所述第一离子源层中的铜、铝、锗以及锌中的一种以上金属元素的含量。6.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述第二离子源层的熔点高于所述第一离子源层的熔点。7.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述第二离子源层的电阻值低于所述第一离子源层的电阻值。8.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述第二离子源层中的氧的含量大于所述第一离子源层中的氧的含量。9.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述第一离...

【专利技术属性】
技术研发人员：紫牟田雅之，保田周一郎，水口徹也，大场和博，荒谷胜久，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：