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本发明提供了一种存储元件、制造所述存储元件的方法以及存储装置，其中所述存储元件依次包括第一电极、存储层以及第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在第一电极侧；以及离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在第二电极侧。所述...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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